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1. (WO1998003978) DISPOSITIF DE REFERENCE, PROCEDE DE FIXATION D'UN NIVEAU DE REFERENCE, PROCEDE D'AUTODIAGNOSTIC ET MEMOIRE SEMI-CONDUCTRICE NON VOLATILE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/003978    N° de la demande internationale :    PCT/JP1997/002269
Date de publication : 29.01.1998 Date de dépôt international : 01.07.1997
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    13.11.1997    
CIB :
G11C 11/56 (2006.01)
Déposants : NKK CORPORATION [JP/JP]; 1-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100 (JP) (Tous Sauf US).
TAKEUCHI, Nobuyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKEUCHI, Nobuyoshi; (JP)
Mandataire : HANAWA, Yoshio; Hosokawa Building, 1-16, Akasaka 1-chome, Minato-ku, Tokyo 107-0052 (JP)
Données relatives à la priorité :
8/189193 18.07.1996 JP
Titre (EN) REFERENCE APPARATUS, REFERENCE LEVEL SETTING METHOD, SELF-DIAGNOSIS METHOD AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
(FR) DISPOSITIF DE REFERENCE, PROCEDE DE FIXATION D'UN NIVEAU DE REFERENCE, PROCEDE D'AUTODIAGNOSTIC ET MEMOIRE SEMI-CONDUCTRICE NON VOLATILE
Abrégé : front page image
(EN)A reference apparatus capable of handling the multi-level data while establishing sufficient correlation with memory cells, without increasing the area of the circuits. The reference apparatus is provided with a pluraltiy of reference cells sets each of which comprises a reference cell having a gate coupling ratio smaller than that of the memory cells, and a reference cell having a gate coupling ratio larger than that of the memory cells. The reference cells sets are programmed according to the number of pulses which is an integral multiple of the number of program pulses fed to the memory cells or according to the time that corresponds to the number of pulses, whereby a reference level is set.
(FR)Cette invention concerne un dispositif de référence capable de traiter des données de niveaux multiples et d'établir simultanément une corrélation suffisante avec les cellules de mémoire, sans pour autant nécessiter un accroissement de surface des circuits. Ledit appareil de référence est doté d'une pluralité d'ensembles de cellules de référence comportant chacun une cellule de référence ayant un taux de couplage entre grilles plus important que celui des cellules de mémoire. Ces ensembles de cellules de référence sont programmés en fonction du nombre d'impulsions qui est un multiple entier du nombre d'impulsions de programme alimentant les cellules de mémoire ou en fonction du temps correspondant au nombre d'impulsions, ce qui permet de fixer un niveau de référence.
États désignés : JP, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)