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1. (WO1998002784) PROCEDE DE GRAVURE AVEC DECALAGE DE PHASE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/002784    N° de la demande internationale :    PCT/IB1996/000788
Date de publication : 22.01.1998 Date de dépôt international : 15.07.1996
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    13.01.1997    
CIB :
G03F 1/00 (2012.01), G03F 7/20 (2006.01), H01J 9/02 (2006.01)
Déposants : MICRON DISPLAY TECHNOLOGY, INC. [US/US]; Legal Dept. M/S 507, 8000 South Federal Way, P.O. Box 6, Boise, ID 83707-0006 (US) (Tous Sauf US).
CATHEY, David, A., Jr. [US/US]; (US) (US Seulement).
Rolfson, Brett, J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CATHEY, David, A., Jr.; (US).
Rolfson, Brett, J.; (US)
Mandataire : GRATTON, Stephen, A.; 10275 Gumbark Place, San Diego, CA 92131 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD OF PHASE SHIFT LITHOGRAPHY
(FR) PROCEDE DE GRAVURE AVEC DECALAGE DE PHASE
Abrégé : front page image
(EN)A method of phase shift lithography includes forming a chromeless phase shift reticle (10) with a pattern of parallel, spaced phase shifters (14). An exposure energy (22) is directed through the phase shift reticle (10) and onto a target (18) having a layer resist (23) formed thereon. Following an initial exposure, the phase shift reticle (10) is rotated and the resist (23) is exposed a second time. The resist (23) is then developed to form features in areas of resist that have not been exposed. These areas correspond to the projected points of intersection (34) of the phase shifters (14). Using a positive tone resist, solid resist features are formed. These solid features can be used to form a mask (46) for etching the target (18) to form field emitter sites (38) for a field emission display. Using a negative tone resist, open areas are formed in the resist (23) and can be used to deposit a material on the substrate such as contacts (56) on a semiconducting substrate (48). The method of the invention can also be implemented using two different reticles (10) with intersecting patterns or using a single reticle (10) having intersecting phase shift areas.
(FR)L'invention concerne un procédé de gravure avec décalage de phase consistant à former un réticule à décalage de phase (10) exempt de chrome avec un motif constitué de décaleurs de phase (14) parallèles et espacés les uns des autres. Une énergie d'exposition (22) est dirigée de façon qu'elle traverse le réticule à décalage de phase (10) pour atteindre une cible (18) pourvue d'une couche de résist (23) formée sur sa surface. Après une exposition initiale, le réticule à décalage de phase (10) est tourné et le résist (23) est exposé une seconde fois. Le résist (23) est ensuite développé de façon que des détails se forment dans des zones du résist qui n'ont pas été exposées. Ces zones correspondent aux points d'intersection (34) projetés des décaleurs de phase (14). Les détails de résist plein sont formés au moyen d'un résist positif. Ces détails pleins peuvent être utilisés pour former un masque (46) utilisé pour réaliser l'attaque de la cible (18) afin de former des sites d'émission de champ (38) destinés à un affichage à émission de champ. Au moyen d'un résist négatif, on forme des zones ouvertes dans le résist (23) qui peuvent être utilisées pour effectuer le dépôt d'une matière sur le substrat, par exemple pour former des contacts (56) sur un substrat semi-conducteur (48). Le procédé selon l'invention peut également être mis en oeuvre au moyen de deux réticules (10) dont les motifs se coupent ou au moyen d'un seul réticule (10) présentant des zones de décalage de phase qui se coupent.
États désignés : DE, GB, JP, KP, SG, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)