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1. (WO1998001900) METHODE POUR GRAVER DES COUCHES SUR DES TRANCHES DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/001900    N° de la demande internationale :    PCT/US1997/011336
Date de publication : 15.01.1998 Date de dépôt international : 27.06.1997
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    06.02.1998    
CIB :
H01L 21/3213 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538-6470 (US)
Inventeurs : ABRAHAM, Susan, C.; (US)
Mandataire : NGUYEN, Joseph, A.; Hickman Beyer & Weaver, P.O. Box 61059, Palo Alto, CA 94306 (US)
Données relatives à la priorité :
08/678,034 10.07.1996 US
Titre (EN) METHOD FOR ETCHING LAYERS ON SEMICONDUCTOR WAFERS
(FR) METHODE POUR GRAVER DES COUCHES SUR DES TRANCHES DE SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A method in a plasma processing chamber, for etching through a selected portion of an aluminum-containing layer and a titanium-containing layer. The titanium-containing layer is disposed above the aluminum-containing layer. The method includes a first etching step that etches at least partially through the titanium-containing layer using a first source gas composition. The first source gas composition consists essentially of the Cl¿2? etchant and a first mixture. The first mixture consists essentially of HCl and CHF¿3?. The first source gas composition has a first flow ratio of the Cl¿2? etchant to the first mixture. There is further included a second etching step that etches at least partially through the aluminum-containing layer using a second source gas composition. The second source gas composition consists essentially of a Cl¿2? etchant and a second mixture. The second mixture consists essentially of HCl and CHF¿3?. The second source gas composition has a second flow ratio of the Cl¿2? etchant to the second mixture different from the first flow ratio.
(FR)Méthode utilisée dans une chambre de traitement au plasma et destinée à la gravure d'une partie choisie d'une couche contenant de l'aluminium et d'une couche contenant du titane; la seconde couche est disposée au-dessus de la première. La méthode inclut une première étape de gravure, qui consiste à graver au moins partiellement la première couche contenant du titane à l'aide d'une première composition de gaz sources. La première composition de gaz sources contient principalement un mordant à base de Cl¿2? et un premier mélange. Le premier mélange est composé principalement de HCl et de CHF¿3?. La première composition de gaz sources possède un premier taux d'écoulement de mordant à base de Cl¿2? vers le premier mélange. La méthode inclut une seconde étape de gravure lors de laquelle au moins une partie de la couche contenant de l'aluminium est gravée au moyen d'une seconde composition de gaz sources. La seconde composition de gaz sources comprend principalement un mordant à base de Cl¿2? et un seconde mélange. Ledit mélange est composé pour l'essentiel de HCl et de CHF¿3?. La seconde composition de gaz sources possède un second taux d'écoulement de mordant à base de Cl¿2? vers le second mélange; ledit taux est différent du premier taux d'écoulement.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)