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1. (WO1998001899) GAZ NETTOYANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/001899    N° de la demande internationale :    PCT/JP1997/002369
Date de publication : 15.01.1998 Date de dépôt international : 09.07.1997
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    08.12.1997    
CIB :
C23C 16/44 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : DAIKIN INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; Umeda Centre Building, 4-12, Nakazaki-nishi 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 530-0015 (JP) (Tous Sauf US).
ITANO, Mitsushi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ITANO, Mitsushi; (JP)
Mandataire : SAEGUSA, Eiji; Kitahama TNK Building, 1-7-1, Dosho-machi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 541 (JP)
Données relatives à la priorité :
8/180518 10.07.1996 JP
Titre (EN) CLEANING GAS
(FR) GAZ NETTOYANT
Abrégé : front page image
(EN)A chamber cleaning gas for Si films, SiO¿2? films, Si¿3?N¿4? films or high-melting metal silicide films, which comprises at least one gas selected from the group consisting of those represented by formulae: (a), (b) and (c); and a process for cleaning a chamber.
(FR)Gaz de nettoyage de chambres pour films en Si, en SiO¿2?, en Si¿3?N¿4? ou en siliciure métallique à point de fusion élevé, ledit gaz comprenant au moins un gaz choisi dans le groupe constitué des gaz répondant aux formules (a), (b) et (c), et procédé de nettoyage de chambres.
États désignés : CN, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)