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1. (WO1998001897) PROCEDE DE NETTOYAGE DE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/001897    N° de la demande internationale :    PCT/JP1997/002351
Date de publication : 15.01.1998 Date de dépôt international : 07.07.1997
CIB :
C11D 1/22 (2006.01), C11D 3/02 (2006.01), C11D 11/00 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza-Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 571 (JP) (Tous Sauf US).
OONISHI, Teruhito [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IDOTA, Ken [US/US]; (US) (US Seulement).
NIWA, Masaaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HARADA, Yoshinao [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OONISHI, Teruhito; (JP).
IDOTA, Ken; (US).
NIWA, Masaaki; (JP).
HARADA, Yoshinao; (JP)
Mandataire : OHMAE, Kaname; Lions Building Ohtemae 2F, 3-14, Uchihiranomachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 540 (JP)
Données relatives à la priorité :
8/177628 08.07.1996 JP
Titre (EN) METHOD OF CLEANING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE NETTOYAGE DE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)Cleaning solution containing a mixture of 24 wt.% of sulfuric acid, 5 wt.% of hydrogen peroxide, 0.02 wt.% of hydrofluoric acid, 0.075 wt.% of n-dodecylbenzene sulfonic acid and water is stored in a treatment bath (1) made of quartz and heated to a temperature not higher than 100 °C by a heater (2). A silicon wafer (3) is dipped in the cleaning solution for 10 minutes and then washed with pure water for about 7 minutes. The surfaces of particles are etched by hydrofluoric acid and the n-dodecylbenzene sulfonic acid is bonded to the surfaces by sulfate bonding. Then, the apparent diameters of the particles are increased, the repulsive forces by zeta potentials, etc., are relatively increased and hence it is difficult for particles to adhere to the surface of the wafer (3). Therefore, the particles can be washed away easily by a washing process.
(FR)La présente invention concerne une solution nettoyante faite d'un mélange composé pour 24 % de sa masse d'acide sulfurique, pour 5 % de sa masse de peroxyde d'hydrogène, pour 0,02 % de sa masse d'acide fluorhydrique, pour 0,075 % de sa masse d'acide n-dodécylbenzène sulfonique et d'eau. Cette solution, qui est stockée dans un bac de traitement (1) en quartz, est réchauffée à une température n'excédant pas 100 °C par un réchauffeur (2). Le procédé consiste alors à tremper la plaquette de silicium (3) dans la solution nettoyante pendant 10 minutes, puis à la rincer à l'eau pure pendant environ 7 minutes. Pendant le trempage, les surfaces des particules sont attaquées par l'acide fluorhydrique, l'acide n-dodécylbenzène sulfonique se liant aux surfaces par la liaison sulfate. Les diamètres apparents des particules s'accroissant, les forces répulsives imputables notamment aux potentiels électrocinétiques s'accroissent relativement, ce qui fait qu'il devient difficile aux particules d'adhérer à la surface de la plaquette (3). Il est alors facile d'éliminer les particules en une opération de rinçage.
États désignés : KR, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)