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1. (WO1998001895) PROCEDE DE FABRICATION D'UN COMPOSANT DE CIRCUIT INTEGRE A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/001895    N° de la demande internationale :    PCT/JP1996/001889
Date de publication : 15.01.1998 Date de dépôt international : 08.07.1996
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.07.1996    
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6, Kanda Surugadai 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101 (JP) (Tous Sauf US).
YUNOGAMI, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUMIHASHI, Takao [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YUNOGAMI, Takashi; (JP).
KUMIHASHI, Takao; (JP)
Mandataire : TSUTSUI, Yamato; Tsutsui & Associates, N.S. Excel 301, 22-45, Nishishinjuku 7-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 160 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD OF PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN COMPOSANT DE CIRCUIT INTEGRE A SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)When the surface of a semiconductor wafer (1) having a predetermined thin film formed thereon is etched by using a plasma etching apparatus equipped with a plasma monitor for monitoring a plasma process in a chamber (10) by detecting the radiation from the plasma, a porous plate (110) having pores having a high aspect ratio is disposed in the optical path of the radiation from the plasma toward the plasma monitor, and the radiation passing through the porous plate (110) is detected by the plasma monitor so as to determine the end point of etching of the thin film.
(FR)Quand on effectue l'attaque chimique d'une tranche à semi-conducteur (1), sur laquelle est placée une couche mince prédéterminée, au moyen d'un dispositif d'attaque chimique au plasma équipé d'un moniteur de plasma servant à contrôler le processus au plasma dans une chambre (10) au moyen de la détection du rayonnement émis par le plasma, une plaque poreuse (110), dont les pores présentent un rapport d'aspect élevé, est située dans le trajet optique du rayonnement depuis le plasma vers le moniteur de plasma et le rayonnement passant à travers la plaque poreuse (110) est détecté par le moniteur de plasma, de manière à déterminer le point final de l'attaque chimique de la couche mince.
États désignés : AL, AM, AU, BB, BG, BR, CA, CN, CZ, EE, FI, GE, HU, IL, IS, JP, KG, KR, LK, LR, LT, LV, MD, MG, MK, MN, MX, NO, NZ, PL, RO, SG, SI, SK, TR, TT, UA, US, UZ, VN.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (KE, LS, MW, SD, SZ, UG)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)