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1. (WO1998000859) PROCEDE ET APPAREIL POUR ATTAQUER DES TRANCHES DE SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/000859    N° de la demande internationale :    PCT/US1997/001002
Date de publication : 08.01.1998 Date de dépôt international : 23.01.1997
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.01.1998    
CIB :
H01J 37/32 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01)
Déposants : TEGAL CORPORATION [US/US]; 2201 S. McDowell Boulevard, Petaluma, CA 94955-6020 (US)
Inventeurs : DeORNELLAS, Stephen, P.; (US).
COFER, Alferd; (US).
RAJORA, Paritosh; (US)
Mandataire : MEYER, Sheldon, R.; Fliesler, Dubb, Meyer and Lovejoy, Suite 400, 4 Embarcadero Center, San Francisco, CA 94111-4156 (US)
Données relatives à la priorité :
08/675,093 03.07.1996 US
08/675,559 03.07.1996 US
08/742,861 01.11.1996 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR ETCHING A SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PROCEDE ET APPAREIL POUR ATTAQUER DES TRANCHES DE SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A method and apparatus (6) provides for etching a semiconductor wafer (40) using a two step physical etching and chemical etching process in order to create vertical sidewalls (20) required for high density DRAMs and FRAMs.
(FR)L'invention concerne un procédé et un appareil (6) pour attaquer une tranche de semi-conducteur (40) à l'aide d'un processus d'attaque physique et d'attaque chimique en deux étapes en vue de créer les parois latérales verticales (20) nécessaires aux mémoires DRAM et FRAM haute densité.
États désignés : CA, CN, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)