WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1998000858) REACTEUR ET PROCEDE D'ATTAQUE AU PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/000858    N° de la demande internationale :    PCT/US1997/000917
Date de publication : 08.01.1998 Date de dépôt international : 23.01.1997
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.01.1998    
CIB :
H01J 37/32 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01)
Déposants : TEGAL CORPORATION [US/US]; 2201 S. McDowell Boulevard, Petaluma, CA 94955-6020 (US)
Inventeurs : DeORNELLAS, Stephen, P.; (US).
JERDE, Leslie, G.; (US).
COFER, Alferd; (US).
VAIL, Robert, C.; (US).
OLSON, Kurt, A.; (US)
Mandataire : MEYER, Sheldon, R.; Fliesler, Dubb, Meyer and Lovejoy, Suite 400, Four Embarcadero Center, San Francisco, CA 94111-4156 (US)
Données relatives à la priorité :
08/675,559 03.07.1996 US
Titre (EN) PLASMA ETCH REACTOR AND METHOD
(FR) REACTEUR ET PROCEDE D'ATTAQUE AU PLASMA
Abrégé : front page image
(EN)A plasma etch reactor (20) includes an upper electrode (24), a lower electrode (28), a peripheral ring electrode (26) disposed therebetween. The upper electrode (24) is grounded, the peripheral electrode (26) is powered by a high frequency AC power supply, while the lower electrode (28) is powered by a low frequency AC power supply, as well as a DC power supply. The reactor chamber (22) is configured with a solid source (50) of gaseous species and a protruding baffle (40). A nozzle (36) provides a jet stream of process gases in order to ensure uniformity of the process gases at the surface of a semiconductor wafer (48). The configuration of the plasma etch reactor (20) enhances the range of densities for the plasma in the reactor (20), which range can be selected by adjusting more of the power supplies (30, 32).
(FR)Un réacteur d'attaque au plasma (20) comporte une électrode supérieure (24), une électrode inférieure (28), et une électrode annulaire périphérique (26) disposée entre celles-ci. L'électrode supérieure (24) est mise à la terre, l'électrode périphérique est alimentée par une alimentation électrique c.a. haute fréquence, tandis que l'électrode inférieure (28) est alimentée par une alimentation électrique c.a. basse fréquence, ainsi qu'une alimentation électrique c.c.. La chambre de réacteur (22) comporte une source solide (50) d'espèces chimiques gazeuses et un déflecteur saillant (40). Une buse (36) délivre un écoulement turbulent de gaz de traitement en vue d'assurer l'homogénéité de ces derniers à la surface d'une tranche de semi-conducteur (48). La configuration du réacteur d'attaque au plasma (20) permet d'améliorer la plage de densités du plasma dans le réacteur (20), laquelle plage peut être sélectionnée par le réglage accru des alimentations électriques (30, 32).
États désignés : CA, CN, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)