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1. (WO1998000857) EMPLOI DE SUBSTRATS MAL COUPES POUR ACCROITRE LA TENUE DE COUCHES RELAXEES A TENEUR ECHELONNEE DE SILICIUM-GERMANIUM ET DE GERMANIUM SUR LE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/000857    N° de la demande internationale :    PCT/US1997/010765
Date de publication : 08.01.1998 Date de dépôt international : 20.06.1997
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.01.1998    
CIB :
C30B 25/18 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, MA 02139 (US)
Inventeurs : FITZGERALD, Eugene, A.; (US).
SAMAVEDAM, Srikanth, B.; (US)
Mandataire : CONNORS, Matthew, E.; Samuels, Gauthier, Stevens & Reppert, Suite 3300, 225 Franklin Street, Boston, MA 02110 (US).
HAMMOND Andrew; Albihn West AB, Box142, S-401 22 Göteborg (SE)
Données relatives à la priorité :
60/020,820 28.06.1996 US
08/806,741 27.02.1997 US
Titre (EN) UTILIZATION OF MISCUT SUBSTRATES TO IMPROVE RELAXED GRADED SILICON-GERMANIUM AND GERMANIUM LAYERS ON SILICON
(FR) EMPLOI DE SUBSTRATS MAL COUPES POUR ACCROITRE LA TENUE DE COUCHES RELAXEES A TENEUR ECHELONNEE DE SILICIUM-GERMANIUM ET DE GERMANIUM SUR LE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)A method of processing semiconductor materials, including providing a monocrystalline silicon substrate (12) having a (001) crystallographic surface orientation; off-cutting the substrate to an orientation from about 2° to about 6° offset towards the (110) direction; and epitaxially growing a relaxed graded layer of a crystalline GeSi (14) on the substrate (12) and the structure obtained by the method.
(FR)L'invention porte sur un procédé de traitement de matériaux conducteurs consistant, partant d'un substrat de silicium monocristallin (12) présentant une orientation (001) cristallographique superficielle, à découper le substrat selon un angle d'environ 2° à environ 6° avec la direction (110); et à déposer épitaxialement une couche relaxée à teneur échelonnée de GeSi (14) sur le substrat (12). L'invention porte également sur la structure ainsi obtenue.
États désignés : CA, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)