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1. (WO1998000856) DEPOT D'UNE COUCHE MINCE DE SEMI-CONDUCTEUR A TEMPERATURE VARIABLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/000856    N° de la demande internationale :    PCT/US1996/018032
Date de publication : 08.01.1998 Date de dépôt international : 12.11.1996
CIB :
H01L 21/203 (2006.01), H01L 21/363 (2006.01), H01L 31/073 (2012.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : MIDWEST RESEARCH INSTITUTE [US/US]; 425 Volker Boulevard, Kansas City, MO 64110 (US)
Inventeurs : LI, Xaonan; (US).
SHELDON, Peter; (US)
Mandataire : RICHARDSON, Ken; National Renewable Energy Laboratory, 1617 Cole Boulevard, Golden, CO 80401 (US)
Données relatives à la priorité :
08/555,621 09.11.1995 US
Titre (EN) VARIBLE TEMPERATURE SEMICONDUCTOR FILM DEPOSITION
(FR) DEPOT D'UNE COUCHE MINCE DE SEMI-CONDUCTEUR A TEMPERATURE VARIABLE
Abrégé : front page image
(EN)A method of depositing a semiconductor material on a substrate. The method sequentially comprises (a) providing the semiconductor material in a depositable state such as a vapor for deposition on the substrate; (b) depositing the semiconductor material on the substrate while heating the substrate to a first temperature sufficient to cause the semiconductor material to form a first film layer having a first grain size; (c) continually depositing the semiconductor material on the substrate while cooling the substrate to a second temperature sufficient to cause the semiconductor material to form a second film layer deposited on the first film layer and having a second grain size smaller than the first grain size; and (d) raising the substrate temperature, while either continuing or not continuing to deposit semiconductor material to form a third film layer, to thereby anneal the film layers into a single layer having favorable efficiency characteristics in photovoltaic applications. A preferred semiconductor material is cadmium telluride deposited on a glass/tin oxide substrate already having thereon a film layer of cadmium sulfide.
(FR)Procédé permettant d'effectuer un dépôt de matériau semi-conducteur sur un substrat. Ce procédé consiste successivement (a) à mettre le matériau semi-conducteur en état de dépôt, tel qu'une vapeur, afin de le déposer sur le substrat; (b) à déposer le matériau semi-conducteur sur le substrat tout en réchauffant ledit substrat à une première température suffisante pour provoquer la formation d'une première couche mince de matériau semi-conducteur possédant une première dimension de grain; (c) à déposer en continu le matériau semi-conducteur sur le substrat tout en refroidissant ce dernier à une deuxième température suffisante pour provoquer la formation sur la première couche mince d'une deuxième couche mince de matériau semi-conducteur possédant une deuxième dimension de grain plus petite que la première dimension de grain; (d) à augmenter la température du substrat, tout en continuant ou non à déposer le matériau semi-conducteur afin de former une troisième couche, de manière à provoquer le recuit des couches en une seule couche possédant de bonnes caractéristiques de rendement dans des applications photovoltaïques. Un matériau semi-conducteur préféré est du tellurure de cadmium déposé sur un substrat en verre et oxyde d'étain sur lequel est déjà déposée une couche mince de sulfure de cadmium.
États désignés : DE, GB, JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)