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1. (WO1997015081) RESISTANCE A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1997/015081    N° de la demande internationale :    PCT/IB1996/001095
Date de publication : 24.04.1997 Date de dépôt international : 17.10.1996
CIB :
H01L 27/06 (2006.01), H01L 29/8605 (2006.01)
Déposants : PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL).
PHILIPS NORDEN AB [SE/SE]; Kottbygatan 7, Kista, S-164 85 Stockholm (SE) (SE only)
Inventeurs : HURKX, Godefridus, Adrianus, Maria; (NL).
EMONS, Catharina, Huberta, Henrica; (NL).
VAN DER WEL, Willem; (NL)
Mandataire : HOUBIERS, Ernest, E., M., G.; Internationaal Octrooibureau B.V., P.O. Box 220, NL-5600 AE Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
95202848.8 20.10.1995 EP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR RESISTOR DEVICE
(FR) RESISTANCE A SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)The continuing miniaturization of integrated circuits leads to a demand for ever higher resistance values. In conventional diffused resistors or poly resistors, an increase in the resistance value also means an increase in the surface area. Such resistors, moreover, are highly dependent on the doping concentration and sensitive to temperature changes. A resistor according to the invention comprises a resistor region (18) with a length and doping concentration which are chosen such that an electric field is applied at which velocity saturation of charge carriers takes place in the envisaged range of operation. The connection regions are connected to the resistor region via rectifying junctions (21, 22). In a specific embodiment, these junctions are formed by pn junctions, so that the resistor has, for example, an npn shape. The dimensions are furthermore chosen such that, within said operational range, electrons are injected into the p-type resistor regions by punch-through between the n-type connection regions (19, 20), traversing the resistor region at the saturation velocity. Since the charge carriers supplying the current are of the type opposed to that of the resistor material, it is prevented that the resistance value becomes very low at low voltages.
(FR)La miniaturisation toujours plus poussée des circuits intégrés nécessite des résistances ohmiques toujours plus élevées. Dans les résistances ou les polyrésistances diffusées usuelles, l'augmentation de la résistance ohmique implique également une augmentation de la surface. Ces résistances sont, de plus, très sensibles à la concentration en dopant et aux changements de température. Une résistance selon l'invention comprend une région de résistance (18) présentant une longueur et une concentration en dopant choisies pour qu'un champ soit appliqué qui assure une saturation de la vitesse des porteurs de charge dans la plage de fonctionnement envisagée. Les régions de connexion sont connectées à la région de résistance par l'intermédiaire de jonctions (21, 22) redressant le courant. Dans un mode de réalisation spécifique, ces jonctions sont des jonctions pn, si bien que la résistance a, par exemple, la forme npn. Les dimensions sont, en outre, choisies pour que, dans la plage de fonctionnement en question, des électrons soient injectés dans les régions de résistance du type p par un perçage entre les régions de connexion du type n (19, 20) traversant la région de résistance à la vitesse de saturation. Comme les porteurs de charges transportant le courant sont du type opposé à celui du matériau de la résistance, la résistance ohmique ne peut prendre des valeurs très basses aux tensions basses.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)