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1. (WO1997014175) NOUVELLE TECHNIQUE D'ISOLATION AU MOYEN D'UNE TRANCHEE PEU PROFONDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1997/014175    N° de la demande internationale :    PCT/US1996/015281
Date de publication : 17.04.1997 Date de dépôt international : 23.09.1996
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.04.1997    
CIB :
H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
MOON, Peter, K. [US/US]; (US) (US Seulement).
LANDAU, Berni, W. [US/US]; (US) (US Seulement).
KRICK, David, T. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MOON, Peter, K.; (US).
LANDAU, Berni, W.; (US).
KRICK, David, T.; (US)
Mandataire : BERNADICOU, Michael, A.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman, 7th floor, 12400 Wilshire Boulevard, Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
08/536,694 29.09.1995 US
Titre (EN) NOVEL SHALLOW TRENCH ISOLATION TECHNIQUE
(FR) NOUVELLE TECHNIQUE D'ISOLATION AU MOYEN D'UNE TRANCHEE PEU PROFONDE
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a trench isolation region. The method of the present invention comprises the steps of forming a trench in a semiconductor substrate (300), oxidizing the trench a first time, and then etching the oxidized trench with a wet etchant comprising HF. The trench is then oxidized a second time to grow a trench oxide layer (318). A first oxide layer (322) is conformally deposited over the substrate (300) followed by a sputter etch. A second oxide layer (326) is deposited over the sputter etch oxide layer (322), and then oxide layers (322) and (326) are chemically mechanically polished back to form a trench isolation structure with a planar topography (327).
(FR)Procédé de création d'une zone d'isolation sous la forme d'une tranchée. Ce procédé consiste à pratiquer une ouverture dans un substrat de semi-conducteur, à oxyder l'ouverture une première fois, puis à attaquer chimiquement l'ouverture oxydée avec un réactif humide pouvant être l'acide hydrofluorique. L'ouverture est donc oxydée une deuxième fois.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, HU, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (KE, LS, MW, SD, SZ, UG)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)