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1. (WO1997013891) PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES EPITAXIALES DE GaN OU DE Ga(Al,In)N SUR DES SUBSTRATS MONOCRISTALLINS DE GaN OU MIXTES DE Ga(Al,In)N
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/1997/013891 N° de la demande internationale : PCT/PL1996/000017
Date de publication : 17.04.1997 Date de dépôt international : 11.10.1996
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 09.06.1997
CIB :
C30B 11/00 (2006.01) ,C30B 19/00 (2006.01) ,C30B 23/02 (2006.01) ,C30B 25/02 (2006.01) ,H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : BARANOWSKI, Jacek, M.[PL/PL]; PL (UsOnly)
BOCKOWSKI, Micha$m(D)[PL/PL]; PL (UsOnly)
GRZEGORY, Izabella[PL/PL]; PL (UsOnly)
JUN, Jan[PL/PL]; PL (UsOnly)
KORONA, Piotr, Krzysztof[PL/PL]; PL (UsOnly)
KRUKOWSKI, Stanis$m(D)aw[PL/PL]; PL (UsOnly)
PAKU$m(C)A, Krzysztof[PL/PL]; PL (UsOnly)
POROWSKI, Sylwester[PL/PL]; PL (UsOnly)
STEPNIEWSKI, Roman[PL/PL]; PL (UsOnly)
WRÓBLEWSKI, Miros$m(D)aw[PL/PL]; PL (UsOnly)
WYSMO$m(C)EK, Andrzej[PL/PL]; PL (UsOnly)
CENTRUM BADAN WYSOKOCISNIENIOWYCH[PL/PL]; Polskiej Academii Nauk ul. Sokolowska 29/37 PL-01-142 Warszawa, PL (AllExceptUS)
Inventeurs : BARANOWSKI, Jacek, M.; PL
BOCKOWSKI, Micha$m(D); PL
GRZEGORY, Izabella; PL
JUN, Jan; PL
KORONA, Piotr, Krzysztof; PL
KRUKOWSKI, Stanis$m(D)aw; PL
PAKU$m(C)A, Krzysztof; PL
POROWSKI, Sylwester; PL
STEPNIEWSKI, Roman; PL
WRÓBLEWSKI, Miros$m(D)aw; PL
WYSMO$m(C)EK, Andrzej; PL
Mandataire : POROWSKI, Sylwester; Centrum Badan Wysokocisnieniowych Polskiej Akademii Nauk ul. Sokolowska 29/37 PL-01-142 Warszawa, PL
Données relatives à la priorité :
P.31092913.10.1995PL
Titre (EN) METHOD OF MANUFACTURING EPITAXIAL LAYERS OF GaN OR Ga(A1,In)N ON SINGLE CRYSTAL GaN AND MIXED Ga(A1,In)N SUBSTRATES
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES EPITAXIALES DE GaN OU DE Ga(Al,In)N SUR DES SUBSTRATS MONOCRISTALLINS DE GaN OU MIXTES DE Ga(Al,In)N
Abrégé :
(EN) A method of manufacturing epitaxial layers of GaN or mixed Ga(A1,In)N on single crystal substrates of GaN or Ga(A1,In)N using known methods of epitaxial growth from the liquid or vapor phase, where the substrates are plate-like single crystals of GaN or Ga(A1,In)N obtained by the crystallization of the first layer of the substrate from supersaturated nitrogen solution in gallium or GaA1In solution in the temperature range, T1, of 600-2000 °C, under high pressure of pure nitrogen or nitrogen containing gas mixture. Thereafter the method includes crystallization of a second or epitaxial layer on the substrate at a temperature T2 not higher than T1 after decreasing the gas pressure by at least of 200 bar until the second layer attains the prescribed thickness. The epitaxial layer is formed on the first layer by Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) or Molecular Beam Epitaxy (MB) and is characterized by a smooth gallium surface on a first side and rough nitrogen surface on a second side upon which the epitaxial growth is effected by the known methods.
(FR) Procédé de fabrication de couches épitaxiales de GaN ou mixtes de Ga(Al,In)N sur des substrats monocristallins de GaN ou de Ga(Al,In)N par des procédés connus de croissance épitaxiale à partir d'une phase liquide ou vapeur, dans lequel les substrats sont des monocristaux lamellaires de GaN ou de Ga(Al,In)N obtenus par cristallisation de la première couche du substrat à partir d'une solution sursaturée d'azote dans une solution de gallium ou de GaAlIn dans une plage de températures T1 allant de 600 à 2000 °C, et ce sous haute pression d'azote pur ou d'un mélange gazeux renfermant de l'azote. Ensuite, le procédé consiste à cristalliser une seconde couche ou couche épitaxiale sur le substrat à une température T2 égale ou inférieure à T1 après avoir réduit la pression du gaz d'au moins 200 bar jusqu'à ce que la seconde couche présente l'épaisseur voulue. La couche épitaxiale est formée sur la première couche par dépôt chimique métal-oxyde en phase vapeur ou par épitaxie par faisceaux moléculaires, et elle est caractérisée en ce qu'elle présente une surface lisse de gallium sur une première face et une surface rugueuse d'azote sur une seconde face sur laquelle la croissance épitaxiale s'effectue selon les procédés connus.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, HU, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)