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1. (WO1997013273) FORMATION D'UNE REGION DE SOURCE ET DE DRAIN EN VERRE DOPE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/1997/013273 N° de la demande internationale : PCT/US1996/016002
Date de publication : 10.04.1997 Date de dépôt international : 03.10.1996
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 28.04.1997
CIB :
H01L 21/225 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/8238 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
22
Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire
225
en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p.ex. une couche d'oxyde dopée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8238
Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS
Déposants : THOMPSON, Scott, E.[US/US]; US (UsOnly)
JAN, Chia-Hong[US/US]; US (UsOnly)
PACKAN, Paul, A.[CA/US]; US (UsOnly)
GHANI, Tahir[US/US]; US (UsOnly)
ANDIDEH, Ebrahim[US/US]; US (UsOnly)
MOGHADAM, Farhad[US/US]; US (UsOnly)
BOHR, Mark, T.[US/US]; US (UsOnly)
INTEL CORPORATION[US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95052, US (AllExceptUS)
Inventeurs : THOMPSON, Scott, E.; US
JAN, Chia-Hong; US
PACKAN, Paul, A.; US
GHANI, Tahir; US
ANDIDEH, Ebrahim; US
MOGHADAM, Farhad; US
BOHR, Mark, T.; US
Mandataire : TAYLOR, Edwin, H. ; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman Seventh floor 12400 Wilshire Boulevard Los Angeles, CA 90025-1026, US
Données relatives à la priorité :
08/538,84604.10.1995US
Titre (EN) FORMATION OF SOURCE/DRAIN FROM DOPED GLASS
(FR) FORMATION D'UNE REGION DE SOURCE ET DE DRAIN EN VERRE DOPE
Abrégé :
(EN) A process for fabricating a source and drain region which includes a more lightly doped source and drain tip region immediately adjacent to the gate and a more heavily doped main portion of the source and drain region spaced apart from the gate. A first layer (16) of glass (2 % BSG) is used to provide the source of doping for the tip region and a second layer (35) of glass (6 % BSG) is used to provide the dopant for the more heavily doped major portion of source and drain regions. Spacers (31) are formed between the glass layers to define the tip region from the main portion of the source and drain regions.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'une région de source et de drain comprenant une région d'extrémité de source et de drain jouxtant la grille, qui est plus légèrement dopée, et une partie principale de la région de source et de drain espacée de la grille qui est plus fortement dopée. Une première couche (16) de verre (verre de borosilicate 2%) sert à constituer une source de dopage pour la région d'extrémité et une seconde couche (35) de verre (verre de borosilicate 6%) apporte le dopant à la portion de la partie principale des régions de source et de drain plus fortement dopée. Des éléments d'espacement (31) sont formés entre les couches de verre pour séparer la portion d'extrémité de la partie principale des régions de source et de drain.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, HU, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (KE, LS, MW, SD, SZ, UG)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)