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1. (WO1997013204) MEMOIRE EEPROM FLASH PRINCIPALE DANS UN SYSTEME ORDINATEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/1997/013204 N° de la demande internationale : PCT/US1996/015970
Date de publication : 10.04.1997 Date de dépôt international : 03.10.1996
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 28.04.1997
CIB :
G06F 12/02 (2006.01) ,G06F 12/08 (2006.01)
Déposants : HASBUN, Robert, N.[US/US]; US (UsOnly)
FAIZI, Asad[PK/US]; US (UsOnly)
LAM, Joann[US/US]; US (UsOnly)
RUSCITO, Peter, J.[US/US]; US (UsOnly)
INTEL CORPORATION[US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95052, US (AllExceptUS)
Inventeurs : HASBUN, Robert, N.; US
FAIZI, Asad; US
LAM, Joann; US
RUSCITO, Peter, J.; US
Mandataire : KING, Stephen, L. ; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman 7th floor 12400 Wilshire Boulevard Los Angeles, CA 90025, US
VINCENT, Lester, J.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman 12400 Wilshire Boulevard 7th Floor Los Angeles, CA 90025, US
Données relatives à la priorité :
08/538,26103.10.1995US
Titre (EN) FLASH EEPROM MAIN MEMORY IN A COMPUTER SYSTEM
(FR) MEMOIRE EEPROM FLASH PRINCIPALE DANS UN SYSTEME ORDINATEUR
Abrégé :
(EN) A flash EEPROM memory array (27) including a cache buffer (23) for storing lines of data being written to all addresses in main memory (13); a plurality of holding buffers (25) for storing lines of data from the cache buffer (23) addressed to a particular block of addresses in main memory (13); a plurality of blocks of flash EEPROM main memory (27) for storing lines of data from a holding buffer (25) directed to a particular block of addresses in main memory (13); and control circuitry for writing lines of data addressed to a particular block of addresses in main memory (13) from the cache buffer (23) to a holding buffer (25) when the cache buffer (23) fills or a holding buffer (25) limit is reached whichever occurs first, writing valid data from an addressed block of flash memory to lines of the holding buffer not holding valid data written from the cache buffer, erasing the adressed block of flash memory, and writing all of the lines in the holding buffer to the addressed block of flash memory.
(FR) L'invention concerne une mémoire EEPROM flash (27) comprenant une antémémoire tampon (23) pour les lignes d'enregistrement des données écrites à toutes les adresses dans la mémoire principale (13); une pluralité de mémoires tampon de retenue (25) pour les lignes d'enregistrement des données de l'antémémoire tampon (23) adressées à un bloc particulier d'adresses dans la mémoire principale (13); une pluralité de blocs de la mémoire EEPROM flash principale (27) pour les lignes d'enregistrement des données d'une mémoire tampon de retenue (25) dirigées vers un bloc particulier d'adresses dans la mémoire principale (13); et un circuit de commande pour les lignes d'écriture des données adressées à un bloc particulier d'adresses dans la mémoire principale (13), de l'antémémoire tampon (23) vers la mémoire tampon de retenue (25) pour écrire, l'antémémoire tampon (23) est pleine, soit quand la limite de la mémoire tampon de retenue (25) est atteinte, des données valides d'un bloc adressé de la mémoire flash à des lignes de la mémoire tampon de retenue ne contenant pas des données valables écrites depuis l'antémémoire tampon, effacer le bloc adressé de la mémoire flash et écrire toutes les lignes de la mémoire tampon de retenue au bloc adressé de la mémoire flash.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, HU, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (KE, LS, MW, SD, SZ, UG)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)