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1. (WO1997012399) SUPERPOSITION DE METAUX DESTINEE A UN CIRCUIT INTEGRE PRESENTANT DEUX COUCHES MINCES DE TITANE FORMEES A L'AIDE DE TECHNIQUES DE DEPOT EN CHAMBRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1997/012399    N° de la demande internationale :    PCT/US1996/015351
Date de publication : 03.04.1997 Date de dépôt international : 25.09.1996
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.04.1997    
CIB :
H01L 23/532 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
RASTOGI, Rajiv [US/US]; (US) (US Seulement).
BAI, Peng [CN/US]; (US) (US Seulement).
AHMED, Sohail [US/US]; (US) (US Seulement).
MEYER, William, K. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : RASTOGI, Rajiv; (US).
BAI, Peng; (US).
AHMED, Sohail; (US).
MEYER, William, K.; (US)
Mandataire : BERNADICOU, Michael, A.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman, 7th floor, 12400 Wilshire Boulevard, Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
08/536,155 29.09.1995 US
Titre (EN) METAL STACK FOR INTEGRATED CIRCUIT HAVING TWO THIN LAYERS OF TITANIUM WITH DEDICATED CHAMBER DEPOSITIONS
(FR) SUPERPOSITION DE METAUX DESTINEE A UN CIRCUIT INTEGRE PRESENTANT DEUX COUCHES MINCES DE TITANE FORMEES A L'AIDE DE TECHNIQUES DE DEPOT EN CHAMBRE
Abrégé : front page image
(EN)A metal stack (35) for use in an integrated circuit demonstrating improved electromigration properties. A base layer (31) of approximately 185Å of titanium is formed on an ILD followed by the formation of the bulk conductor layer (32) such as an aluminum-copper alloy layer. A capping layer (33) of approximately 185Å of titanium is formed on the bulk conductor layer (32). Finally, an antireflective coating (ARC) (34) of titanium nitride is formed on the capping layer (33).
(FR)Cette superposition (35) de métaux est utile dans un circuit intégré présentant des propriétés améliorées d'électromigration et elle comprend la formation: d'une couche (31) de base en titane, d'environ 185 Å, sur une couche intermédiaire diélectrique (ILD); puis d'une couche (32) de support conductrice, telle qu'une couche d'alliage aluminium-cuivre; puis d'une couche (33) protectrice en titane, d'environ 185 Å, sur la couche (32) de support conductrice; et enfin d'un revêtement antiréfléchissant (34) (ARC) en nitrure de titane sur la couche (33) protectrice.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, HU, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (KE, LS, MW, SD, SZ, UG)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)