WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1997012389) TECHNIQUE FAISANT APPEL A UN DOUBLE ESPACEUR PERMETTANT DE CREER UN TRANSISTOR BIPOLAIRE COMPORTANT UN EMETTEUR TRES ETROIT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1997/012389    N° de la demande internationale :    PCT/US1996/015298
Date de publication : 03.04.1997 Date de dépôt international : 25.09.1996
CIB :
H01L 21/331 (2006.01)
Déposants : ANALOG DEVICES, INCORPORATED [US/US]; One Technology Way, Norwood, MA 02062 (US)
Inventeurs : TSAI, Curtis; (US).
O, Kenneth, K.; (US).
SCHARF, Brad, W.; (US)
Mandataire : BOLLINGER, Howard, M.; Parmelee, Bollinger & Bramblett, 460 Summer Street, Stamford, CT 06901 (US)
Données relatives à la priorité :
08/536,338 29.09.1995 US
Titre (EN) DOUBLE-SPACER TECHNIQUE FOR FORMING A BIPOLAR TRANSISTOR WITH A VERY NARROW EMITTER
(FR) TECHNIQUE FAISANT APPEL A UN DOUBLE ESPACEUR PERMETTANT DE CREER UN TRANSISTOR BIPOLAIRE COMPORTANT UN EMETTEUR TRES ETROIT
Abrégé : front page image
(EN)Emitter widths (W emit) of 0.3 $g(m)m on double polysilicon bipolar transistors are achieved using 0.8 $g(m)m photolithography and double spacer process. The emitter width (W emit) reduction is confirmed with structural and electrical measurements.
(FR)Selon l'invention, on obtient des largeurs d'émetteur (W emit) de 0,3 $g(m)m sur des transistors bipolaires en double polysilicium au moyen d'une photolithographie de 0,8 $g(m)m et d'un procédé fondé sur l'utilisation d'un double espaceur. Pour confirmer la diminution de la largeur de l'émetteur (W emit), on procède à des mesures de la structure et à des mesures électriques.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)