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1. (WO1997012369) POMPE A CHARGE A NOMBRE D'ETAGES VARIABLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1997/012369    N° de la demande internationale :    PCT/US1996/015753
Date de publication : 03.04.1997 Date de dépôt international : 30.09.1996
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.04.1997    
CIB :
G11C 5/14 (2006.01), G11C 16/30 (2006.01), H02M 3/07 (2006.01), H02M 3/28 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
JAVANIFARD, Jahanshir, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
TEDROW, Kerry, D. [US/US]; (US) (US Seulement).
LIN, Jin-Lien [CN/US]; (US) (US Seulement).
EVERETT, Jeffrey, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
ATWOOD, Gregory, E. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : JAVANIFARD, Jahanshir, J.; (US).
TEDROW, Kerry, D.; (US).
LIN, Jin-Lien; (US).
EVERETT, Jeffrey, J.; (US).
ATWOOD, Gregory, E.; (US)
Mandataire : DAVIS, William, Donald; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman, 7th floor, 12400 Wilshire Boulevard, Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
08/537,233 29.09.1995 US
Titre (EN) VARIABLE STAGE CHARGE PUMP
(FR) POMPE A CHARGE A NOMBRE D'ETAGES VARIABLE
Abrégé : front page image
(EN)A variable state charge pump (100) for a flash memory device is described. The variable state charge pump (100) includes a first charge pump (110) and a second charge pump (120). A first switch (130) couples an output of the first charge pump to the input of the second charge pump. A second switch (131) couples an input of the first charge pump to the input of the second charge pump. Thes first and second charge pumps are series-coupled to a common output node (150) when a first switch is in a first position and the second switch is in a second position, and wherein the first and second charge pumps are parallel-coupled to the common output node (150) when the first switch is in the second position and the second switch is in the first position.
(FR)L'invention concerne une pompe à charge (100) à nombre d'étages variable, pour une mémoire FLASH. La pompe à charge (100) à nombre d'étages variable comprend une première pompe (110) à charge et une seconde pompe (120) à charge. Un premier commutateur (130) connecte une sortie de la première pompe à une entrée de la seconde pompe. Un second commutateur (131) connecte une entrée de la première pompe à l'entrée de la seconde pompe. Les première et seconde pompes à charge sont connectées en série à un noeud (150) de sortie commun quand le premier commutateur est dans une première position et le second commutateur dans une seconde position, les première et seconde pompes à charge étant connectées en parallèle au noeud (150) de sortie commun quand le premier commutateur est dans la seconde position et le second commutateur est dans la première position.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, HU, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (KE, LS, MW, SD, SZ, UG)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)