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1. (WO1997011589) REVETEMENT POUR LA PRODUCTION STRUCTUREE DE TRACES CONDUCTEURS A LA SURFACE DE SUBSTRATS ELECTRIQUEMENT ISOLANTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1997/011589    N° de la demande internationale :    PCT/EP1996/004074
Date de publication : 27.03.1997 Date de dépôt international : 18.09.1996
CIB :
C03C 17/25 (2006.01), C04B 41/50 (2006.01), C04B 41/87 (2006.01), H01L 21/48 (2006.01), H01L 23/498 (2006.01), H05K 1/03 (2006.01), H05K 1/09 (2006.01), H05K 3/02 (2006.01)
Déposants : FA. LPKF CAD/CAM SYSTEME GMBH [DE/DE]; Osteriede 7, D-30827 Garbsen (DE) (Tous Sauf US).
KICKELHAIN, Jörg [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
VITT, Bruno [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : KICKELHAIN, Jörg; (DE).
VITT, Bruno; (DE)
Mandataire : BRAUN, Dieter; Hagemann & Kehl, Hildesheimer Strasse 133, D-30173 Hannover (DE)
Données relatives à la priorité :
195 35 068.5 21.09.1995 DE
Titre (DE) BESCHICHTUNG ZUR STRUKTURIERTEN ERZEUGUNG VON LEITERBAHNEN AUF DER OBERFLÄCHE VON ELEKTRISCH ISOLIERENDEN SUBSTRATEN
(EN) COATING FOR THE STRUCTURED PRODUCTION OF CONDUCTORS ON THE SURFACE OF ELECTRICALLY INSULATING SUBSTRATES
(FR) REVETEMENT POUR LA PRODUCTION STRUCTUREE DE TRACES CONDUCTEURS A LA SURFACE DE SUBSTRATS ELECTRIQUEMENT ISOLANTS
Abrégé : front page image
(DE)Beschrieben wird eine Beschichtung zur strukturierten Erzeugung von Leiterbahnen auf der Oberfläche von elektrisch isolierenden Substraten, insbesondere zur Herstellung von Sensorelementen und Leiterplatten, wobei die Beschichtung von einer dotierten Zinnoxid-Schicht mit der Zusammensetzung Sn¿1-(y+z)? A¿y?B¿z?O¿2?, mit A = Sb oder F und B = In oder Al gebildet ist. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß der Gehalt der Beschichtung an den Dotierstoffen Antimon oder Fluor zu Indium oder Aluminium durch die Grenzen 0,02 < y + z < 0,11 gegeben ist und das Verhältnis der Dotierstoffe der Bedingung 1,4 < y/z < 2,2 genügt, derart, daß eine Strukturierung der Beschichtung durch Abtrag mittels elektromagnetischer Laser-Strahlung im Wellenlängenbereich von 157 nm bis 1064 nm erfolgen kann. Es wurde so eine wirtschaftliche Möglichkeit geschaffen, in auf Glas- oder Keramik-Substrate aufgebrachte dünne, elektrisch leitfähige Schichten mit hoher Beständigkeit gegenüber chemischen, mechanischen oder thermischen Belastungen, hochauflösend und rückstandsfrei Isolationskanäle direkt zu strukturieren.
(EN)The disclosure pertains to a coating for the structured production of conductors on the surface of electrically insulating substrates, in particular for producing sensor elements and printed circuit boards. The coating is formed from a doped stannic oxide layer of composition Sn¿1-(y+z)? A¿y?B¿z?O¿2?, in which A = Sb or F and B = In or Al. The invention is characterised in that the relative proportions in the coating of the dopants antimony (or fluorine) and indium (or aluminium) are defined by the limits 0.02 < y + z < 0.11 and satisfy the condition 1.4 < y/z < 2.2. The coating can be structured by ablation using electromagnetic laser radiation in the wavelength range 157-1064 nm. This creates an economical means for the high-desintegration and waste-free direct structuring of insulation channels in thin electrically conducting layers of high chemical, mechanical or thermal resistance on glass or ceramic substrates.
(FR)L'invention a pour objet un revêtement pour la production structurée de tracés conducteurs à la surface de substrats électriquement isolants, en particulier pour la fabrication d'éléments détecteurs de cartes de circuits imprimés, le revêtement étant formé d'une couche d'oxyde d'étain dopée, de composition Sn¿1-(y+z)? A¿y?B¿z?O¿2?, où A = Sb ou F et B = In ou Al. L'invention est caractérisée en ce que la teneur du revêtement en substances dopées, antimoine ou fluor, par rapport à l'indium ou à l'aluminium, est définie par les limites 0,02 < y + z < 0,11, et en ce que le rapport entre les substances dopées satisfait à la condition 1,4 < y/z < 2,2, de telle façon que le revêtement puisse être structuré par ablation au rayon laser électromagnétique, dans une gamme de longueur d'onde comprise entre 157 nm et 1064 nm. Ceci permet d'obtenir un moyen économique pour effectuer une structuration directe, à haut pouvoir de désintégration et sans résidus, de canaux d'isolation dans des couches minces électriquement conductrices, à haute résistance à des sollicitations chimiques, mécaniques ou thermiques, sur des substrats en verre ou en céramique.
États désignés : CN, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)