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1. (WO1997011518) MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR, PROCEDE DE PRODUCTION DE CE MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1997/011518    N° de la demande internationale :    PCT/JP1996/002663
Date de publication : 27.03.1997 Date de dépôt international : 17.09.1996
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.10.1996    
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/08 (2010.01), H01L 33/10 (2010.01), H01L 33/12 (2010.01), H01L 33/14 (2010.01), H01L 33/16 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/34 (2010.01), H01L 33/36 (2010.01), H01L 33/46 (2010.01), H01S 5/227 (2006.01), H01S 5/02 (2006.01), H01S 5/323 (2006.01), H01S 5/42 (2006.01)
Déposants : HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6, Kanda Surugadai 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101 (JP) (Tous Sauf US).
TANAKA, Toshiaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
AOKI, Shigeru [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TANAKA, Toshiaki; (JP).
AOKI, Shigeru; (JP)
Mandataire : ASAMURA, Kiyoshi; New Ohtemachi Building, Room 331, 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100 (JP)
Données relatives à la priorité :
7/238142 18.09.1995 JP
8/231658 02.09.1996 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MATERIAL, METHOD OF PRODUCING THE SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR, PROCEDE DE PRODUCTION DE CE MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)An amorphous insulator (4) is formed on a substrate (1; 1, 2, 3) and has windows where the substrate (1; 1, 2, 3) is exposed. On the exposed parts (40) of the substrate and the insulator (4), a compound semiconductor (5, 51, 52) containing at least nitrogen as a constituent is formed to form a semiconductor material (1, 5, 51, 52). A semiconductor device is fabricated by processing the semiconductor material (1, 5, 51, and 52) or a semiconductor material (6 and 7) formed on the semiconductor material (1, 5, 51, and 52).
(FR)Un isolant amorphe (4) est formé sur un substrat (1; 1, 2, 3) et possède des fenêtres par lesquelles le substrat (1; 1, 2, 3) est exposé. Sur les parties exposées (4) du substrat et sur l'isolant (4) on dépose un semi-conducteur composé (5, 51, 52) contenant au moins de l'azote comme constituant, afin de former un matériau semi-conducteur (1, 5, 51, 52). On fabrique un dispositif à semi-conducteur en traitant le matériau semi-conducteur (1, 5, 51 et 52) ou un matériau semi-conducteur (6 et 7) formé sur ce premier matériau semi-conducteur (1, 5, 51 et 52).
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, HU, IL, IS, JP, KE, KG, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (KE, LS, MW, SD, SZ, UG)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)