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1. (WO1997011489) PROCEDE DE CREATION DES REGIONS SOURCE D'UNE ZONE DE CELLULE DE MEMOIRE FLASH EEPROM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1997/011489    N° de la demande internationale :    PCT/DE1996/001696
Date de publication : 27.03.1997 Date de dépôt international : 10.09.1996
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.04.1997    
CIB :
H01L 21/8247 (2006.01)
Déposants : SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (Tous Sauf US).
KERBER, Martin [AT/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : KERBER, Martin; (DE)
Données relatives à la priorité :
195 34 778.1 19.09.1995 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUM ERZEUGEN DER SOURCEBEREICHE EINES FLASH-EEPROM-SPEICHERZELLENFELDES
(EN) PROCESS FOR GENERATING THE SOURCE REGIONS OF A FLASH-EEPROM STORAGE CELL FIELD
(FR) PROCEDE DE CREATION DES REGIONS SOURCE D'UNE ZONE DE CELLULE DE MEMOIRE FLASH EEPROM
Abrégé : front page image
(DE)Bei einer Flash-Speicherzelle (1) erfolgt die Feldisolation durch eine Oxid-Polysilizium-Oxid-Sandwich-Isolationsstruktur (11, 12, 13). Durch eine bezüglich der Wortleitungen (6) zweier benachbarter Speicherzellen (1) selbstjustierte Implantation von Dotierstoffen zur Erzeugung der Sourcebereiche (3) und Sourceverbindungsbahnen wird eine kleine Fläche für die Speicherzelle (1) ermöglicht. Durch die erfindungsgemäße Feldisolation wird eine Kapazität zwischen dem Dotierungsgebiet (8) und der Polysiliziumschicht (12) der Isolationsschicht erzeugt, die die Lesecharakteristik der Speicherzelle (1) verbessert.
(EN)Field insulation is provided in a flash storage cell (1) by an oxide-polysiliconoxide sandwich insulating structure (11, 12, 13). The implantation of doping substances self-adjusted in relation to the word lines (6) of two adjacent storage cells to generate the source regions (3) and source connection tracks provides a small area for the storage cell (1). The field insulation of the invention generates a capacity between the doping region (8) and the polysilicon layer (12) of the insulation layer which improves the read characteristic of the storage cell (1).
(FR)On procède à une isolation de champ dans une cellule de mémoire flash (1) par une structure d'isolation en sandwich oxyde-polysilicium-oxyde (11,12,13). L'implantation d'agents de dopage auto-ajustée en relation avec les lignes de mots (6) de deux cellules de mémoire (1) adjacentes, pour générer les régions source (3) et des tracés de connexion de la source, procure une petite surface pour la cellule de mémoire (1). L'isolation de champ de l'invention produit une capacité entre la zone de dopage (8) et la couche de polysilicium (12) de la couche d'isolation, qui améliore les caractéristiques de lecture de la cellule de mémoire (1).
États désignés : CN, JP, KR, RU, UA, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)