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1. (WO1997011411) CORRECTION DE PARALLAXE DU MOTIF OBTENUE EN DESAXANT L'ILLUMINATION AU MOYEN D'UN DIPOLE DE TORSION ET DE DIAPHRAGMES POLARISANTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1997/011411    N° de la demande internationale :    PCT/IB1996/000971
Date de publication : 27.03.1997 Date de dépôt international : 03.09.1996
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.04.1997    
CIB :
G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-80333 Munich (DE).
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 72, Horikawa-cho, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa-ken 210 (JP)
Inventeurs : POSCHENRIEDER, Bernhard, L.; (FR).
SATO, Takashi; (US).
AZUMA, Tsukasa; (US)
Mandataire : FUCHS, Franz-Josef; Postfach 22 13 17, D-80503 München (DE)
Données relatives à la priorité :
08/531,767 21.09.1995 US
Titre (EN) AVOIDANCE OF PATTERN SHORTENING BY USING AN OFF AXIS ILLUMINATION WITH TWISTING DIPOLE AND POLARIZING APERTURES
(FR) CORRECTION DE PARALLAXE DU MOTIF OBTENUE EN DESAXANT L'ILLUMINATION AU MOYEN D'UN DIPOLE DE TORSION ET DE DIAPHRAGMES POLARISANTS
Abrégé : front page image
(EN)A system and method of avoiding pattern shortening without resorting to generating a mask with a bias solve the direction dependent differences in exposure behavior in photolithography processes in the manufacture of semiconductor devices. Instead of designing a biased mask to solve the exposure problem, the pattern shortening effect is avoided by influencing the exposure process itself. By using an off axis illumination technique, the exposure is separated into different directions. In one embodiment, off axis illumination is applied in combination with special dipole apertures (i.e., two openings). The exposure is done in two or more parts, whereby the dipole aperture (12) is rotated between exposures. In another embodiment, off axis illumination is used in combination with special polarizer apertures. As with the first embodiment, the exposure is done in two or more parts, but in this case with differently polarized light.
(FR)La présente invention concerne un système et un procédé qui, en corrigeant la parallaxe du motif sans avoir à générer de masque comportant de distorsion, permettent d'annuler, dans les traitements photolithographiques de production de dispositifs à semi-conducteurs, les écarts imputables à l'orientation et se répercutant sur le comportement à l'exposition. Au lieu de dessiner un masque comportant une distorsion destiné à résoudre les problèmes d'exposition, on évite le défaut de parallaxe du motif en agissant sur le processus d'exposition lui-même. Le recours à une technique d'illumination désaxée permet de répartir l'exposition selon différentes directions. Pour un mode de réalisation, on associe une illumination désaxée à une diaphragmation dipôle spéciale (c'est-à-dire une double diaphragmation). L'exposition se fait en deux ou plusieurs parties, la diaphragmation dipôle (12) subissant une rotation entre deux expositions. Selon un autre mode de réalisation, on associe une illumination désaxée à une diaphragmation polarisante spéciale. Comme pour la première réalisation, l'exposition se fait en deux ou plusieurs parties, mais dans ce cas, avec un différentiel de polarisation de la lumière.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)