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1. (WO1997010630) LASER A DIODE A SEMI-CONDUCTEURS ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1997/010630    N° de la demande internationale :    PCT/IB1996/000901
Date de publication : 20.03.1997 Date de dépôt international : 06.09.1996
CIB :
H01S 5/028 (2006.01)
Déposants : PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL).
PHILIPS NORDEN AB [SE/SE]; Kottbygatan 7, Kista, S-164 85 Stockholm (SE) (SE only)
Inventeurs : DE VRIEZE, Henricus, Maria; (NL).
HENDRIX, Leonardus, Joannes, Maria; (NL)
Mandataire : SMEETS, Eugenius, T., J., M.; Internationaal Octrooibureau B.V., P.O. Box 220, NL-5600 AE Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
95202492.5 14.09.1995 EP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DIODE LASER AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
(FR) LASER A DIODE A SEMI-CONDUCTEURS ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a diode laser present in an (inert) gas or vacuum atmosphere (60). The semiconductor body (100) of the diode laser comprises two end faces (50, 51) which bound the resonant cavity within which radiation is generated in an active region (3A). The active region (3A) forms part of an active layer (3) situated between two cladding layers (2, 4) on a substrate (1). At least one end face (50, 51) is coated with a covering layer (20). The known diode laser, whose covering layer is made, for example, of Al¿2?O¿3?, has an insufficient life for a number of applications when a high optical power is radiated. In a diode laser according to the invention, the covering layer (20) comprises at least two sub-layers (21, 22) of a first dielectricum with a first refractive index and of a second dielectricum with a second refractive index, respectively, and the optical thicknesses and refractive indices of the sub-layers (21, 22) are chosen such that the maximum intensity of the field strength of the generated radiation in the semiconductor body (100) and the covering layer (20) lies outside the end face (50, 51), and preferably such that the intensity of the field strength of the generated radiation is approximately a minimum adjacent the end face (50, 51). The diode laser according to the invention has a very slow degradation process and has a very long life also at a high power thanks to said reduced or even minimum intensity adjacent the end face (50, 51). Preferably, the covering layer (20) comprises two or three sub-layers (21, 22, 23) of dielectric materials such as Al¿2?O¿3?, Si¿3?N¿4?, and SiO¿2?, on an exit fae (50). The best results are obtained with InGaP/InGaAlP or GaAs/AlGaAs diode lasers whose emission wavelengths lie between 0.5 and 1 $g(m)m. A very thin intermediate layer (40) of Si or Al is preferably present between the semiconductor body (100) and the covering layer (20). The invention also relates to a method of manufacturing such a diode laser.
(FR)Cette invention se rapporte à un laser à diode présent dans une atmosphère (60) contenant un gaz (inerte) ou sous vide. Le corps à semi-conducteurs (100) du laser à diode comporte deux faces terminales (50, 51) qui limite la cavité résonnante à l'intérieur de laquelle le rayonnement est généré au niveau d'une région active (3A). Cette région active (3A) constitue une partie d'une couche active (3) située entre deux couches de métallisation (2, 4) disposées sur un substrat (1). L'une au moins des deux faces terminales (50, 51) est recouverte d'une couche de recouvrement (20). Le laser à diode de type connu, dont la couche de recouvrement est composée, par exemple, de Al¿2?O¿3?, possède une durée de vie insuffisante pour un certain nombre d'applications dans lesquelles un rayonnement à énergie optique élevée est produit. Dans le laser à diode conforme à l'invention, la couche de recouvrement (20) comporte au moins deux sous-couches (21, 22) constituées d'un premier diélectrique ayant un premier indice de réfraction et d'un second diélectrique ayant un second indice de réfraction, et les épaisseurs optiques et les indices de réfraction des sous-couches (21, 22) sont choisis de telle sorte que l'intensité maximum du champ du rayonnement produit dans le corps à semi-conducteurs (100) et dans la couche de recouvrement (20) se trouve à l'extérieur de la face terminale (50, 51), et de préférence de telle sorte que l'intensité du champ du rayonnement produit soit approximativement réduit à un minimum à proximité de la face terminale (50, 51). Le laser à diode conforme à l'invention se dégrade très lentement et il possède une très longue durée de vie, même lorsqu'il délivre une énergie optique importante, grâce à l'intensité réduite ou même minimale à proximité de la face terminale (50, 51). De préférence, la couche de recouvrement (20) comporte deux ou trois sous-couches (21, 22, 23) de matières diélectriques du type Al¿2?O¿3?, Si¿3?N¿4? et SiO¿2?, sur une face de sortie (50). On obtient les meilleurs résultats avec les lasers à diode InGap/InGaAlP ou GaAs/AlGaAs dont les longueurs d'onde d'émission sont comprises entre 0,5 et 1 $g(m)m. De préférence, une couche intermédiaire très fine (40) de Si ou Al est présente entre le corps à semi-conducteurs (100) et la couche de recouvrement (20). Cette invention se rapporte également à un procédé de fabrication de ce type de laser à diode.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)