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1. (WO1997010612) PROCEDE DE DAMASQUINAGE POUR REDUIRE LA TAILLE DE CERTAINS ELEMENTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1997/010612    N° de la demande internationale :    PCT/US1996/013032
Date de publication : 20.03.1997 Date de dépôt international : 08.08.1996
CIB :
H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01)
Déposants : ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place, Mail Stop 68, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US)
Inventeurs : LIN, Ming-Ren; (US)
Mandataire : RODDY, Richard, J.; Advanced Micro Devices, Inc., One AMD Place, Mail Stop 68, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US)
Données relatives à la priorité :
08/528,279 14.09.1995 US
Titre (EN) DAMASCENE PROCESS FOR REDUCED FEATURE SIZE
(FR) PROCEDE DE DAMASQUINAGE POUR REDUIRE LA TAILLE DE CERTAINS ELEMENTS
Abrégé : front page image
(EN)Submicron contacts/vias and trenches are provided in a dielectric layer by forming an opening having an initial dimension and reducing the initial dimension by depositing a second dielectric material in the opening.
(FR)On réalise dans une couche diélectrique des contacts et des traversées, ainsi que des tranchées, à l'échelle submicronique en pratiquant tout d'abord une ouverture d'une dimension initiale, puis en disposant un second matériau diélectrique dans l'ouverture ainsi pratiquée.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)