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1. (WO1997010189) COMPOSITIONS CERAMIQUES DIELECTRIQUES A BASE DE BISMUTH
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1997/010189    N° de la demande internationale :    PCT/US1995/011525
Date de publication : 20.03.1997 Date de dépôt international : 11.09.1995
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.04.1997    
CIB :
C04B 35/495 (2006.01), H01B 3/12 (2006.01)
Déposants : SWARTZ, Scott, L. [US/US]; (US).
SHROUT, Thomas, R. [US/US]; (US)
Inventeurs : SWARTZ, Scott, L.; (US).
SHROUT, Thomas, R.; (US)
Mandataire : POLLICK, Philip, J.; P.O. Box 141510, Columbus, OH 43214-6510 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) BISMUTH-BASED DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITIONS
(FR) COMPOSITIONS CERAMIQUES DIELECTRIQUES A BASE DE BISMUTH
Abrégé : front page image
(EN)Dielectric BZN ceramic compositions are provided: Bi¿2-x?(Zn¿(2+Y)/3?Nb¿4/3?)O¿7-3x/2+Y/3?, where: 0.240 $m(F) X $m(F) 0.333, and 0.120 $m(F) Y $m(F) 0.300 or X $m(f) 0.667, Y $m(G) 0.15, and X $m(g) Y; (Bi¿1-z?Ca¿Z?)¿2-X?(Zn¿(2+Y)/3?Nb¿4/3?)O¿7-3x/2+Y/3+XZ/2-Z? where: 0 $m(F) X $m(F) 0.667, 0 $m(F) Y $m(F) 0.667, and 0 $m(f) Z $m(F) 0.200; and (Bi¿1-z?Ca¿Z?)2x(Zn¿(2+Y)/3?Nb¿4/3?)O¿7-3X/2+Y/3+XZ/2-Z?, containing 0.01 to 1 wt.% P¿2?O¿5? where O $m(F) X $m(F) 0.667, O $m(F) Y $m(F) 0.667, and O $m(F) Z $m(F) 0.200. Various substitutions for Bi, Zn and Nb can be made in the BZN compositions. To form the BZN compositions, ZnNb¿2?O¿6? precursor is prepared, mixed with Bi¿2?O¿3?, CaCO¿3?, and/or ZnO, and calcined and sintered to give two distinct crystalline phases with nominal stoichiometries of Bi¿2?(Zn¿2/3?Nb¿4/3?)O¿7? and Bi¿4/3?(Zn¿2/3?Nb¿4/3?)O¿6?. The compositions can be sintered at 850-1000 °C to give dense ceramics with a dielectric constant (K) of $m(k)95-105, a temperature coefficient ($g(t)¿k?) of $m(f) 10 ppm/ °C, and a dielectric loss (tan $g(d)) of $m(f) 0.0002 at 1-100 kHz. The figure is a plot of dielectric constant (K) at 1 kHz versus temperature (°C) for selected BZN ceramics.
(FR)L'invention concerne des compositions céramiques diélectriques BZN: Bi¿2-X?(Zn¿(2+Y)/3?Nb¿4/3?)O¿7-3x/2+Y/3?, où 0,240 $m(F) X $m(F) 0,333, et 0,120 $m(F) Y $m(F) 0,300 ou X $m(f) 0,667, Y $m(G) 0,15, et X $m(g) Y; (Bi¿1-z?Ca¿Z?)¿2-X?(Zn¿(2+Y)/3?Nb¿4/3?)O¿7-3x/2+Y/3+XZ/2-Z?, où 0 $m(F) X $m(F) 0,667, 0 $m(F) Y $m(F) 0,667, et 0 $m(f) Z $m(F) 0,200; et (Bi¿1-z?Ca¿Z?)2x(Zn¿(2+Y)/3?Nb¿4/3?)O¿7-3X/2+Y/3+XZ/2-Z?, contenant 0,01 à 1 % en poids de P¿2?O¿5?, où O $m(F) X $m(F) 0,667, O $m(F) Y $m(F) 0,667, et O $m(F) Z $m(F) 0,200. Diverses substitutions peuvent être faites pour Bi, Zn et Nb dans ces compositions BZN. Pour constituer lesdites compositions BZN, on prépare le précurseur ZnNb¿2?O¿6?, on le mélange à Bi¿2?O¿3?, CaCO¿3? et/ou ZnO, puis on le calcine et on le fritte pour obtenir deux phases cristallines distinctes de Bi¿2?(Zn¿2/3?Nb¿4/3?)O¿7? et Bi¿4/3?(Zn¿2/3?Nb¿4/3?)O¿6? de stoechiométries nominales. On peut fritter ces compositions à 850-1000 °C pour obtenir des céramiques denses ayant une constante diélectrique (K) de $m(k)95-105, un coefficient de température ($g(t)¿k?) $m(f) 10 ppm/ °C, et une perte diélectrique (tan $g(d)) $m(f) 0,0002 à 1-100 kHz. La figure 5 représente un graphique de la constante diélectrique (K) à 1 kHz en fonction de la température (°C) pour des céramiques BZN sélectionnées.
États désignés : CA, FI, JP, KR, MX, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)