WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1997009744) MICROSTRUCTURE ACTIONEE PAR PORTES A COMMANDE OPTOELECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1997/009744    N° de la demande internationale :    PCT/GB1996/002100
Date de publication : 13.03.1997 Date de dépôt international : 30.08.1996
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.03.1997    
CIB :
G02B 6/12 (2006.01), H01L 31/112 (2006.01), H03K 17/78 (2006.01)
Déposants : IMPERIAL COLLEGE OF SCIENCE, TECHNOLOGY & MEDICINE [GB/GB]; Exhibition Road, London SW7 2AZ (GB) (Tous Sauf US).
HASSARD, John, Francis [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
SMITH, Roland [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : HASSARD, John, Francis; (GB).
SMITH, Roland; (GB)
Mandataire : MAGGS, Michael, Norman; Kilburn & Strode, 20 Red Lion Street, London WC1R 4PJ (GB)
Données relatives à la priorité :
9517927.1 01.09.1995 GB
Titre (EN) OPTOELECTRONICALLY GATED MICROSTRUCTURE
(FR) MICROSTRUCTURE ACTIONEE PAR PORTES A COMMANDE OPTOELECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A solid state microstructure comprises a substrate (10, 50, 80), a detector element extending outwardly from a surface of the substrate and having first (14, 60, 88) and second (16, 64, 90) electrodes on opposing sides thereof, the detector element incorporating an onboard optoelectrically-triggered gating structure. Gating may be achieved by flooding a specified area of the detector element with gating light, preferably from a laser, thereby causing that region to become conductive.
(FR)L'invention concerne une microstructure à semiconducteur qui comprend un substrat (10, 50, 80), un élément détecteur dépassant d'une surface du substrat et ayant sur ses côtés opposés une première électrode (14, 60, 88) et une seconde électrode (16, 64, 90). Une structure actionnée par portes à commande optoélectronique est incorporée à l'élément détecteur. On peut actionner les portes en illuminant une zone spécifiée de l'élément détecteur au moyen d'une lumière de commande, en utilisant de préférence un laser, ce qui a pour effet de rendre conductrice ladite zone.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)