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1. (WO1997009742) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP DONT LA SENSIBILITE A UN CHAMP MAGNETIQUE PEUT ETRE COMMUTEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1997/009742    N° de la demande internationale :    PCT/DK1996/000356
Date de publication : 13.03.1997 Date de dépôt international : 26.08.1996
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    11.03.1997    
CIB :
H01L 29/82 (2006.01), H01L 29/96 (2006.01)
Déposants : MICROTRONIC A/S [DK/DK]; Byleddet 12-14, DK-4000 Roskilde (DK) (Tous Sauf US).
STENBERG, Lars, J. [DK/DK]; (DK) (US Seulement)
Inventeurs : STENBERG, Lars, J.; (DK)
Mandataire : HOFMAN-BANG & BOUTARD, LEHMANN & REE A/S; Hans Bekkevolds Allé 7, DK-2900 Hellerup (DK)
Données relatives à la priorité :
0949/95 24.08.1995 DK
Titre (EN) SWITCHED MAGNETIC FIELD SENSITIVE FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP DONT LA SENSIBILITE A UN CHAMP MAGNETIQUE PEUT ETRE COMMUTEE
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns a Switched MAGFET (MAGnetic field sensitive Field Effect Transistor). A preferred SMAGFET embodiment consists of a MAGFET structure with two equal sized drain contacts (3, 4), a gate area consisting of two equal sized and electrically isolated gate regions G1 and G2 (5, 6) separated by a third isolated gate region Gc (7) placed along the symmetry line of the device and slightly overlapping G1 and G2. The SMAGFET has a common source (1). By varying the gate voltage on Gc (with reference to the common source contact), the magnetic sensitivity of the SMAGFET may be controlled. By applying a first voltage on Gc, exchange of carriers from the channels beneath G1 and G2 is blocked. In case of an applied magnetic field, this will prevent Lorentz deflected carriers to cross symmetry line and redistribute the drain currents, i.e. the magnetic field sensitivity is virtually zero as the drain currents will remain unaffected by the magnetic induction. By changing the voltage at Gc to a second level, exchange of carriers from channels beneath G1 and G2 may take place. In case of an applied magnetic field, this will allow Lorentz deflected carriers to cross symmetry line and redistribute the drain currents.
(FR)L'invention concerne un transistor à effet de champ dont la sensibilité à un champ magnétique peut être commutée (SMAGFET). Un mode de réalisation préféré de ce transistor comprend une structure MAGFET dont le drain présente deux contacts (3, 4) de dimensions égales, une zone de grille composée de deux régions G1 et G2 (5, 6) isolées électriquement, de dimensions égales et séparées par une troisième région Gc (7) de grille, laquelle est isolée, située le long de la ligne de symétrie du dispositif et chevauche légèrement G1 et G2. Ce transistor comprend une source (1) commune. En modifiant la tension de grille appliquée sur Gc (par rapport au contact de la source commune), on peut commander la sensibilité magnétique dudit transistor. En appliquant une première tension sur Gc, on bloque l'échange des porteurs à partir des canaux situées sous G1 et G2. Dans le cas d'un champ magnétique appliqué, ce blocage empêche les porteurs déviés par la force de Lorentz de traverser la ligne de symétrie et de redistribuer les courants du drain, c'est-à-dire que la sensibilité au champ magnétique est virtuellement nulle tandis que les courants du drain ne sont pas affetés par l'induction magnétique. En changeant la tension appliquée sur Gc pour la porter à un second niveau, l'échange de porteurs à partir des canaux situés sous G1 et G2 peut avoir lieu, ce qui, dans le cas d'un champ magnétique appliqué, permet aux porteurs déviés par la force de Lorentz de traverser la ligne de symétrie et de redistribuer les courants du drain.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)