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1. (WO1997009730) EMETTEUR LATERAL SUR PILIER ET LIMITEUR DE COURANT NON LINEAIRE POUR AFFICHEURS A EMISSION DE CHAMPS ET AUTRES APPLICATIONS A SOURCES D'ELECTRONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1997/009730    N° de la demande internationale :    PCT/US1996/013329
Date de publication : 13.03.1997 Date de dépôt international : 19.08.1996
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.03.1997    
CIB :
H01J 1/304 (2006.01)
Déposants : FED CORPORATION [US/US]; Hudson Valley Research Park, 1580 Route 52, Hopewell Junction, NY 12533 (US)
Inventeurs : JONES, Gary, W.; (US).
ZIMMERMAN, Steven, M.; (US).
JONES, Susan, K., Schwartz; (US).
COSTA, Michael, J.; (US).
SILVERNAIL, Jeffrey, A.; (US)
Mandataire : COYNE, Patrick, J.; Collier, Shannon, Rill & Scott, PLLC, Suite 400, 3050 K Street N.W., Washington, DC 20007 (US)
Données relatives à la priorité :
518,745 24.08.1995 US
Titre (EN) PEDESTAL EDGE EMITTER AND NON-LINEAR CURRENT LIMITERS FOR FIELD EMITTER DISPLAYS AND OTHER ELECTRON SOURCE APPLICATIONS
(FR) EMETTEUR LATERAL SUR PILIER ET LIMITEUR DE COURANT NON LINEAIRE POUR AFFICHEURS A EMISSION DE CHAMPS ET AUTRES APPLICATIONS A SOURCES D'ELECTRONS
Abrégé : front page image
(EN)A microelectronic field emitter device (50) comprising a substrate (78), a conductive pedestal (64) on said substrate, and an edge emitter electrode on said pedestal, wherein the edge emitter electrode comprises an emitter cap layer (66) having an edge (68). The invention also contemplates a current limiter for a microelectronic field emitter device, which comprises a semi-insulating material selected from the group consisting of SiO, SiO+Cr (0 to 50 wt.%), SiO¿2? + Cr (0 to 50 wt.%), SiO + Nb, Al¿2?O¿3? and Si¿x?O¿y?N¿z? sandwiched between an electron injector and a hole injector. Another aspect of the invention relates to a microelectronic field emitter device comprising a substrate (240), an emitter conductor (242) on such substrate, and a current limiter stack (244) formed on said substrate, such stack having a top (246) and at least one edge (248, 250), a resistive strap (266) on top of the stack, extending over the edge in electrical contact with the emitter conductor; and an emitter electrode on the current limiter stack over the resistive strap.
(FR)La présente invention concerne un dispositif micro-électronique (50) à émission de champ comprenant un substrat (78), un pilier électroconducteur (64) reposant sur le substrat et une électrode d'émission de champ reposant sur le pilier, l'électrode d'émission latérale étant pourvue d'une couche de couverture (66) d'émetteur caractérisée par son chant (68). L'invention concerne également un limiteur de courant pour un dispositif micro-électronique constitué d'un matériau semi-isolant appartenant au groupe des SiO, SiO + Cr (pour 0 à 50 % de la masse), SiO¿2? + Cr (pour 0 à 50 % de la masse), SiO + Nb, Al¿2?O¿3? et Si¿x?O¿y?N¿z? placé en sandwich entre un injecteur d'électrons et un injecteur de trous. Selon une autre réalisation, l'invention concerne un dispositif micro-électronique à émission de champ comprenant un substrat (240), un conducteur émetteur (242) reposant sur un tel substrat, et un empilement (244) limiteur de courant réalisé sur ce substrat. Un tel empilement est caractérisé par un sommet (246) et au moins un chant (248, 250), une barrette résistive (266) disposée sur le sommet de l'empilement et à cheval sur le chant, en contact électrique avec le conducteur émetteur, et enfin une électrode émetteur reposant sur l'empilement limiteur de courant à cheval sur la barrette résistive.
États désignés : CA, CN, JP, KR, SG.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)