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1. (WO1997009174) PROCEDE POUR FORMER UNE COUCHE POLYCRISTALLINE D'UN MATERIAU ULTRADUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1997/009174    N° de la demande internationale :    PCT/US1996/014476
Date de publication : 13.03.1997 Date de dépôt international : 09.09.1996
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    03.04.1997    
CIB :
B24D 3/06 (2006.01), B24D 3/28 (2006.01), B24D 18/00 (2006.01)
Déposants : SMITH INTERNATIONAL, INC. [US/US]; 16740 Hardy Street, Houston, TX 77032 (US)
Inventeurs : ANDERSON, Nathan, R.; (US).
EYRE, Ronald, K.; (US).
KESHAVAN, Madapusi, K.; (US).
RAI, Ghanshyam; (US)
Mandataire : MARANTIDIS, Constantine; Christie, Parker & Hale L.L.P., P.O. Box 7068, Pasadena, CA 91109-7068 (US)
Données relatives à la priorité :
60/003,466 08.09.1995 US
08/568,276 06.12.1995 US
Titre (EN) METHOD FOR FORMING A POLYCRYSTALLINE LAYER OF ULTRA HARD MATERIAL
(FR) PROCEDE POUR FORMER UNE COUCHE POLYCRISTALLINE D'UN MATERIAU ULTRADUR
Abrégé : front page image
(EN)A polycrystalline diamond layer (27) is bonded to a cemented metal carbide substrate (21) by this process. A layer of dense high shear compaction material (27) including diamond or cubic boron nitride particles is placed adjacent to a metal carbide substrate (21). The particles of diamond have become rounded instead of angular due to high shear compaction in a multiple roller process. The volatiles in the high shear compaction material are removed and binder decomposed at high temperature, for example, 950 °C, leaving residual amorphous carbon or graphite in a layer of ultra hard material particles on the carbide substrate. The substrate and layer assembly is then subjected to a high pressure, high temperature process, thereby sintering the ultra hard particles to each other to form a polycrystalline ultra hard layer (27) bonded to the metal carbide substrate (21). The layer of high shear compaction material is also characterized by a particle size distribution including larger and smaller particles that are distributed uniformly throughout the layer.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de lier une couche de diamant polycristalline (27) à un substrat de carbure de métal cémenté (21). Une couche d'un matériau de compactage dense à fort cisaillement (27) comprenant des particules de diamant ou de nitrure de bore cubiques est placée de manière adjacente à un substrat de carbure métallique (21). Les particules de diamant deviennent arrondies, et non plus angulaires, du fait du compactage à fort cisaillement selon un procédé à multiples rouleaux. Les éléments volatils dans le matériau de compactage à fort cisaillement sont retirés et le liant est décomposé à une température élevée, par exemple, 950 degrés C, en laissant du carbone amorphe résiduel ou du graphite dans une couche de particules d'un matériau ultradur sur le substrat de carbure. L'ensemble substrat et couche est ensuite soumis à un processus à température élevée, et à forte pression, ce qui assure le frittage des particules ultradures les unes aux autres pour former une couche ultradure polycristalline (27) liée au substrat de carbure de métal (21). En outre, la couche de matériau de compactage à fort cisaillement est caractérisée par une répartition granulométrique qui comprend des particules de taille supérieure et inférieure, réparties avec uniformité dans la couche.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, HU, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (KE, LS, MW, SD, SZ, UG)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)