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1. (WO1997008738) AMELIORATION PAR CHAMP MAGNETIQUE RADIAL D'UN TRAITEMENT AU PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

demande internationale considérée comme retirée 1997-04-10 00:00:00.0


N° de publication :    WO/1997/008738    N° de la demande internationale :    PCT/US1996/013437
Date de publication : 06.03.1997 Date de dépôt international : 20.08.1996
CIB :
H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : PLAVIDAL, Richard, W.; (US).
PAN, Shaoher; (US)
Mandataire : WILSON, James; Applied Materials, Inc., Patent Dept., P.O. Box 450A, Santa Clara, CA 95052 (US)
Données relatives à la priorité :
08/517,281 21.08.1995 US
Titre (EN) RADIAL MAGNETIC FIELD ENHANCEMENT FOR PLASMA PROCESSING
(FR) AMELIORATION PAR CHAMP MAGNETIQUE RADIAL D'UN TRAITEMENT AU PLASMA
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is embodied in a plasma reactor for processing a workpiece such as a semiconductor wafer having an axis of symmetry, the reactor including a reactor chamber with a ceiling having an upwardly extending annular pocket bounded by a pair of circumferential side walls, a pedestal for supporting the workpiece within the chamber under the ceiling, a processing gas supply inlet into the chamber, an RF plasma power source coupled to the pedestal, and a magnetic field source near the ceiling providing a radially symmetrical magnetic field having a magnetic pole of one type facing said inner circumferential wall and a magnetic pole of the opposite type facing said outer circumferential wall so as to apply a magnetic field generally straight across said annular pocket. The straight magnetic field lines of the radially symmetrical magnetic field are generally confined to the annular pocket, penetrating into the chamber to a very shallow depth, if at all, and the height of the ceiling above the workpiece exceeds the magnetic field penetration depth.
(FR)L'invention porte sur un réacteur à plasma pour le traitement d'une pièce telle qu'une plaquette de semi-conducteur ayant un axe de symétrie. Le réacteur comprend: une chambre de réaction avec un plafond ayant une poche circulaire s'étendant vers le haut, limitée par deux parois latérales circonférentielles; un socle soutenant la pièce dans la chambre et sous le plafond; une entrée pour que le gaz de traitement parvienne dans la chambre; et une source d'énergie à haute fréquence pour le plasma, couplée au socle. Le réacteur comprend également une source de champ magnétique située près du plafond, fournissant un champ magnétique radialement symétrique, ayant un pôle magnétique d'une certaine polarité faisant face à ladite paroi circonférentielle interne et un pôle magnétique de polarité opposée faisant face à ladite paroi circonférentielle externe, de telle sorte qu'un champ magnétique traverse généralement en ligne droite ladite poche circulaire. Les lignes droites du champ magnétique du champ magnétique radialement symétrique sont généralement confinées à la poche circulaire, ne pénétrant dans la chambre que très peu profondément ou pas du tout. La hauteur du plafond situé au-dessus de la pièce est supérieure à la profondeur de pénétration du champ magnétique.
États désignés : JP.
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)