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1. (WO1997008362) PROCEDE ET DISPOSITIF D'ATTAQUE AMELIOREE DE SUBSTRATS PAR DES ELECTRONS A FAIBLE ENERGIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1997/008362    N° de la demande internationale :    PCT/US1996/013915
Date de publication : 06.03.1997 Date de dépôt international : 28.08.1996
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    20.03.1997    
CIB :
H01J 37/32 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION [US/US]; 400 Tenth Street, Centennial Research Building, Atlanta, GA 30332-0415 (US)
Inventeurs : MARTIN, Kevin, P.; (US).
GILLIS, Harry, P.; (US).
CHOUTOV, Dmitri, A.; (US)
Mandataire : HORSTEMEYER, Scott, A.; Thomas, Kayden, Horstmeyer & Risley, Suite 1500, 100 Galleria Parkway, N.W., Atlanta, GA 30339 (US)
Données relatives à la priorité :
60/002,837 28.08.1995 US
60/002,861 28.08.1995 US
60/002,862 28.08.1995 US
60/020,629 27.06.1996 US
60/022,364 24.07.1996 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR LOW ENERGY ELECTRON ENHANCED ETCHING OF SUBSTRATES
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF D'ATTAQUE AMELIOREE DE SUBSTRATS PAR DES ELECTRONS A FAIBLE ENERGIE
Abrégé : front page image
(EN)A method of low-damage, anisotropic etching of substrates including mounting the substrate (68) upon the anode (52) in a DC plasma reactor (10) and subjecting the substrate (68) to a plasma of low-energy electrons and a species reactive with the substrate (68). An apparatus (10) for conducting low-damage, anisotropic etching including a DC plasma reactor (14), a permeable wall hollow cold cathode (32), and anode (52), and means (54) for mounting the substrate (68) upon the anode (52).
(FR)L'invention concerne un procédé d'attaque anisotrope à faible détérioration pour substrats, qui consiste à placer un substrat (68) sur l'anode (52) d'un réacteur au plasma à courant continu (10) et à soumettre ce substrat au plasma d'électrons à faible énergie ainsi qu'à une substance qui réagit avec le substrat (68). On décrit par ailleurs un dispositif (10) qui permet d'utiliser ce procédé d'attaque anisotrope à faible détérioration: il comprend un réacteur au plasma à courant continu (14), une cathode froide creuse à paroi perméable (32), une anode (52), et un système (54) de montage du substrat (68) sur l'anode (52).
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, HU, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (KE, LS, MW, SD, SZ, UG)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)