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1. (WO1997003459) TECHNIQUE D'EMBALLAGE SOUS VIDE ET SUR CIRCUITS DESTINEE A DES DISPOSITIFS MICROMECANIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1997/003459    N° de la demande internationale :    PCT/US1996/011415
Date de publication : 30.01.1997 Date de dépôt international : 08.07.1996
CIB :
G01P 1/02 (2006.01), H01L 21/50 (2006.01), H01L 23/057 (2006.01)
Déposants : THE CHARLES STARK DRAPER LABORATORY, INC. [US/US]; 555 Technology Square, Cambridge, MA 02139 (US)
Inventeurs : CHO, Steve, T.; (US)
Mandataire : GAGNEBIN, Charles, L., III; Weingarten, Schurgin, Gagnebin & Hayes, Ten Post Office Square, Boston, MA 02109 (US)
Données relatives à la priorité :
08/499,411 07.07.1995 US
Titre (EN) ON-CHIP VACUUM PACKAGE TECHNOLOGY FOR MICROMECHANICAL DEVICES
(FR) TECHNIQUE D'EMBALLAGE SOUS VIDE ET SUR CIRCUITS DESTINEE A DES DISPOSITIFS MICROMECANIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A process for manufacturing a vacuum enclosure for a semiconductor device formed on a substrate with leads extending peripherally, and the product manufactured by the process. In a first embodiment, an intrinsic silicon shell (10) is sealed to the substrate (12) via electrostatic or anodic bonding with the leads (16) diffusing into the shell. In a second embodiment, a thin interface layer (18') of silicon or polysilicon is deposited on the substrate (12') prior to electrostatic bonding a glass shell (10') thereon. In a third embodiment, tunnels (30'') are formed between a lower peripheral edge of the shell (10'') and the substrate (12''), allowing leads (16'') to pass thereunder. The tunnels are sealed by a dielectric material (14'') applied over the enclosure.
(FR)On décrit un procédé de fabrication d'une enceinte sous vide, destinée à un dispositif semi-conducteur formé sur un substrat présentant des fils conducteurs s'étendant de manière périphérique, et le produit ainsi obtenu. Dans un premier mode de réalisation, un capot (10) de silicium intrinsèque est scellé sur le substrat (12) au moyen d'une fixation électrostatique ou anodique, les fils (16) diffusant à l'intérieur du capot. Dans un second mode de réalisation, on a déposé, sur le substrat (12'), une mince couche (18') d'interface de silicium ou de polysilicium, avant liaison électrostatique d'un capot (10') de verre sur ledit substrat. Dans un troisième mode de réalisation, on a formé des tunnels (30'') entre un bord périphérique inférieur du capot (10'') et le substrat (12''), permettant ainsi aux fils (16'') de passer sous le capot. On scelle ces tunnels en appliquant un matériau (14'') diélectrique sur l'enceinte.
États désignés : CA, JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)