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1. (WO1997003458) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1997/003458    N° de la demande internationale :    PCT/JP1996/001906
Date de publication : 30.01.1997 Date de dépôt international : 09.07.1996
CIB :
H01L 21/263 (2006.01), H01L 21/331 (2006.01)
Déposants : ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 615 (JP) (Tous Sauf US).
SAKAMOTO, Kazuhisa [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SAKAMOTO, Kazuhisa; (JP)
Mandataire : KAWAMURA, Kiyoshi; Shinei Building 6E, 5-1, Nishinakajima 4-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 532 (JP)
Données relatives à la priorité :
7/173643 10.07.1995 JP
Titre (EN) METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing a semiconductor device in which crystal defects are generated in a semiconductor crystal by irradiating a semiconductor substrate (1) with a particle beam. In the preceding process of the irradiation process, the substrate (1) is heat-treated such that the temperature of the substrate (1) is raised rapidly in ten minutes to 550-850 °C and maintained for one second to 60 minutes. Crystal defects are generated in the crystal by irradiating the crystal with such a particle beam as an electron beam, the life time of carriers is shortened, and accordingly the switching speed is increased, not lowering the electric characteristics such as the current amplification factor. Thus a semiconductor device having both a high switching speed and good electric characteristics is fabricated.
(FR)L'invention a pour objet un procédé pour fabriquer un dispositif à semi-conducteurs dans lequel les défauts du cristal sont générés dans un cristal à semi-conducteurs par irradiation d'un substrat de semi-conducteurs (1) à l'aide d'un faisceau de particules. Au cours du processus d'irradiation, le substrat (1) est traité thermiquement de telle sorte que sa température augmente rapidement pour atteindre en dix minutes 550 à 850 °C, température à laquelle il est maintenu pendant une seconde à 60 minutes. Les défauts du cristal sont générés dans le cristal par irradiation du cristal à l'aide d'un faisceau de particules tel qu'un faisceau électronique. La durée de vie des éléments porteurs est réduite et par conséquent, la vitesse de commutation augmente, sans pour autant affecter les caractéristiques électriques telles que le facteur d'amplification de l'intensité du courant; ainsi, on obtient un dispositif à semi-conducteurs présentant une vitesse de commutation élevée et de bonnes caractéristiques électriques.
États désignés : CA, CN, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, GB, IT, NL).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)