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1. (WO1997003030) PROCEDE DE FABRICATION DE CARBURE DE SILICIUM ELECTRIQUEMENT ISOLANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1997/003030    N° de la demande internationale :    PCT/CH1996/000253
Date de publication : 30.01.1997 Date de dépôt international : 09.07.1996
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.02.1997    
CIB :
C04B 35/565 (2006.01), C04B 35/575 (2006.01), H01B 3/12 (2006.01)
Déposants : NEGAWATT GMBH [CH/CH]; Kirchweg 27c, D-5415 Nussbaumen (CH) (Tous Sauf US).
MARAVIC, Dusko [HR/CH]; (CH) (US Seulement)
Inventeurs : MARAVIC, Dusko; (CH)
Mandataire : PATENTANWALTSBÜRO FELDMANN AG; Kanalstrasse 17, CH-8152 Glattbrugg (CH)
Données relatives à la priorité :
2070/95-7 13.07.1995 CH
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON ELEKTRISCH ISOLIERENDEM SILIZIUMKARBID
(EN) PROCESS FOR FABRICATING AN ELECTRICALLY INSULATING SILICON CARBIDE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE CARBURE DE SILICIUM ELECTRIQUEMENT ISOLANT
Abrégé : front page image
(DE)In einem Verfahren zur Herstellung von elektrisch isolierendem Siliziumkarbid mittels Flüssigphasen-Sintern, bei dem vor dem Sintern Sinteradditive zugegeben werden, werden die Menge der zugegebenen Sinteradditive, die Sintertemperatur und die Sinterzeitspanne als Prozessparameter gewählt. Anhand dieser Parameter wird die Menge der im gesinterten Siliziumkarbid verbleibenden Korngrenzphase vorbestimmt. Dadurch wird als Endprodukt ein hochohmiger elektrischer Isolator erhalten.
(EN)In a process for fabricating electrically insulating silicon carbide by means of liquid-phase sintering, wherein the sintering additives are added prior to sintering, the quantity of sintering additives, the sintering temperature and the duration of sintering are selected as process parameters. With the aid of these parameters, the quantity of intercrystalline phase remaining in the sintered silicon carbide is predetermined. This yields as end product a high-resistance electrical insulator.
(FR)Procédé de fabrication de carbure de silicium électriquement isolant par frittage en phase liquide, selon lequel des additifs de frittage sont ajoutés avant frittage. Conformément à l'invention, les quantités d'additifs de frittage, la température et la durée du frittage sont choisis comme paramètres du procédé. A l'aide de ces paramètres, la quantité de phase intercristalline restant dans le carbure de silicium fritté est prédéterminée. On obtient ainsi, comme produit final, un corps électriquement isolant à résistance élevée.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, HU, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (KE, LS, MW, SD, SZ, UG)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)