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1. (WO1997002611) COMPOSANT ELECTRONIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1997/002611    N° de la demande internationale :    PCT/DE1996/001197
Date de publication : 23.01.1997 Date de dépôt international : 29.06.1996
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    16.01.1997    
CIB :
H01L 31/112 (2006.01)
Déposants : FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH [DE/DE]; Wilhelm-Johnen-Strasse, D-52425 Jülich (DE) (Tous Sauf US).
LEUTHER, Arnulf [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
LÜTH, Hans [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : LEUTHER, Arnulf; (DE).
LÜTH, Hans; (DE)
Données relatives à la priorité :
195 23 608.4 30.06.1995 DE
Titre (DE) ELEKTRONISCHES BAUELEMENT SOWIE VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
(EN) ELECTRONIC COMPONENT AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURE
(FR) COMPOSANT ELECTRONIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für die ohmsche Kontaktierung zweidimensionaler Ladungsträgergase, wobei nach Freilegung der zugehörigen Materialschicht mittels einer selektiv wirkenden Ätze ein Oberflächenkontakt hergestellt wird. Es kann der Tunnelstrom zwischen benachbarten zweidimensionalen Ladungsträgerschichten mittels eines Gates dabei so gesteuert werden, daß nur der oberste der Kanäle kontaktiert wird. Auf diese Weise läßt sich ein optoelektronisches Bauelement erreichen, mit dem frequenzaufgelöst detektiert werden kann.
(EN)The invention concerns a process for producing ohmic contact between two-dimensional charge carrier gases, surface contact being established when the associated material layer has been exposed by a selective etching solution. The tunnel current between adjacent two-dimensional charge carrier layers can be controlled by means of a gate such that only the uppermost channel is contacted. This process results in an optoelectronic component which can detect in a frequency-resolved manner.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication destiné à réaliser un contact ohmique entre deux gaz porteurs de charge bidimensionnels. Un contact de surface s'établit lors de la disparition de la couche de matériau associée après exposition à des produits d'attaque chimique d'action sélective. On peut commander, à l'aide d'une grille, le courant de tunnel présent entre les couches de porteurs de charge 2D voisines, de façon à établir un contact uniquement entre les canaux supérieurs. On obtient ainsi un composant optoélectronique au pouvoir de détection par séparation en fréquence.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)