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1. (WO1997002602) CIRCUIT INTEGRE A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1997/002602    N° de la demande internationale :    PCT/JP1996/001653
Date de publication : 23.01.1997 Date de dépôt international : 17.06.1996
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    17.06.1996    
CIB :
H01L 27/02 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6, Kanda Surugadai 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101 (JP) (Tous Sauf US).
OMORI, Sohei [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
WADA, Shinichiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAMBA, Nobuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
UCHIDA, Akihisa [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OMORI, Sohei; (JP).
WADA, Shinichiro; (JP).
TAMBA, Nobuo; (JP).
UCHIDA, Akihisa; (JP)
Mandataire : TSUTSUI, Yamato; Tsutsui & Associates, N.S. Excel 301, 22-45, Nishishinjuku 7-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 160 (JP)
Données relatives à la priorité :
7/167777 04.07.1995 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF PRODUCTION THEREOF
(FR) CIRCUIT INTEGRE A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor integrated circuit device comprising an SOI substrate (5) that includes a semiconductor layer (5c) deposited on an insulating layer (5b) formed over a semiconductor substrate (5a). The insulating layer (5b) is selectively removed immediately below the p-n junctions of input protective diodes D1, D2 to remove heat and static charges from the diodes by conducting them directly to the semiconductor substrate (5a).
(FR)Un circuit intégré à semi-conducteur comporte un substrat SOI (5) comprenant une couche (5c) de semi-conducteur déposée sur une couche isolante (5b) formée par-dessus un substrat semi-conducteur (5a). La couche isolante (5b) est enlevée sélectivement immédiatement au-dessous des jonctions p-n des diodes de protection d'entrée D1, D2 afin d'éliminer la chaleur et les charges statiques des diodes en les conduisant directement au substrat semi-conducteur (5a).
États désignés : CN, JP, KR, SG, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)