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1. (WO1997002592) DISPOSITIFS D'ALIMENTATION A SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1997/002592    N° de la demande internationale :    PCT/IB1996/000527
Date de publication : 23.01.1997 Date de dépôt international : 31.05.1996
CIB :
H01L 27/02 (2006.01)
Déposants : PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL).
PHILIPS NORDEN AB [SE/SE]; Kottbygatan 7, Kista, S-164 85 Stockholm (SE) (SE only)
Inventeurs : MOODY, Paul, Timothy; (GB)
Mandataire : STEVENS, Brian, Thomas; Internationaal Octrooibureau B.V., P.O. Box 220, NL-5600 AE Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
9513420.1 30.06.1995 GB
Titre (EN) POWER SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) DISPOSITIFS D'ALIMENTATION A SEMICONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A power semiconductor device (e.g. MOSFET or IGBT) has a temperature sensing means in the form of thin-film sensing element (D1) on a first insulating layer (2) on the device body (10). The sensing element is preferably a reverse-biased p-n junction thin-film polycrystalline silicon diode (D1). In order to screen the sensitive element (D1) from electrical noise, an electrically conductive layer (4) is present on a second electrically insulating layer (5) over the thin-film element (D1) and forms part of an electrical screen (3, 4) which is present over and under the thin-film element (D1). This electrical screen (3, 4) also comprises a semiconductive region (3) underlying the thin-film element (D1), with the overlying conductive layer (4) electrically connected to the semiconductive region (3) at a window (6) in the insulating layers (2, 5). One electrical connection of the thin-film element (D1) may be formed by the screening conductive layer (4) extending through a contact window (46) in the second insulating layer (5) and connected to a stable reference potential (e.g. ground). The electrical screen (3, 4) can be integrated around the thin-film element (D1) in the same process steps as are already used for power device fabrication, but with modified mask layouts for providing the desired geometry in accordance with the invention. The overlying screening conductive layer (4) may be a main electrode (e.g. source) of the power semiconductor device.
(FR)Un dispositif d'alimentation à semiconducteur (par exemple un transistor à effet de champ MOS ou un transistor bipolaire à grille isolée) présente un moyen de détection de température sous la forme d'un élément de détection à couches minces (D1) placé sur une première couche isolante (2) du corps (10) du dispositif. L'élément de détection est de préférence une diode en silicium polycristallin (D1) en couches minces à jonction P-N à polarisation inverse. Afin de protéger l'élément sensible (D1) du bruit électrique, on a disposé une couche électro-isolante (4) sur une seconde couche électro-isolante (5) de l'élément à couches minces (D1), laquelle fait partie d'un blindage électrique (3, 4) présent au-dessus et au-dessous de l'élément à couches minces (D1). Ce blindage électrique (3, 4) comprend également une région semiconductrice (3) située au-dessous de l'élément à couches minces (D1), la couche conductrice (4) située au-dessus étant reliée électriquement à la région semiconductrice (3) au niveau d'une fenêtre (6) se trouvant dans les couches isolantes (2, 5). Une connexion électrique de l'élément à couches minces (D1) peut être formée par la couche conductrice de blindage (4) s'étendant à travers une fenêtre de contact (46) dans la seconde couche isolante (5), et connectée à un potentiel de référence stable (par exemple la terre). Le blindage électrique (3, 4) peut être intégré autour de l'élément à couches minces (D1) selon les mêmes étapes de procédé que celles déjà suivies pour la fabrication de dispositifs d'alimentation, mais avec des agencements de masques modifiés afin d'obtenir la géométrie voulue selon l'invention. La couche conductrice de blindage (4) située au-dessus peut être une électrode principale (par exemple une source) du dispositif d'alimentation à semiconducteur.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)