WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1997002221) PORCELAINE DIELECTRIQUE, SON PROCEDE DE PRODUCTION ET COMPOSANTS ELECTRONIQUES OBTENUS A PARTIR DE CELLE-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1997/002221    N° de la demande internationale :    PCT/JP1996/001761
Date de publication : 23.01.1997 Date de dépôt international : 26.06.1996
CIB :
C04B 35/453 (2006.01), C04B 35/462 (2006.01), H01G 4/12 (2006.01)
Déposants : TDK CORPORATION [JP/JP]; 13-1, Nihonbashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 103 (JP)
Inventeurs : SUZUKI, Takashi; (JP).
KAWATA, Tomoaki; (JP).
KAWASAKI, Kunihiko; (JP).
NITTA, Masako; (JP)
Mandataire : ISHII, Yoichi; Tenjin Iyasaka Kosan Building 3F, 23-1, Yushima 3-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 113 (JP)
Données relatives à la priorité :
7/165912 30.06.1995 JP
Titre (EN) DIELECTRIC PORCELAIN, PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF, AND ELECTRONIC PARTS PRODUCED THEREFROM
(FR) PORCELAINE DIELECTRIQUE, SON PROCEDE DE PRODUCTION ET COMPOSANTS ELECTRONIQUES OBTENUS A PARTIR DE CELLE-CI
Abrégé : front page image
(EN)A dielectric porcelain comprising TiO¿2? and ZnO as the principal ingredient and B¿2?O¿3? and/or B¿2?O¿3?-containing glass as the subsidiary ingredient for realizing the low-temperature sinterability permitting silver, copper or alloys containing silver or copper as the principal ingredient to be used as an inner conductor. It is possible to freely select the temperature coefficient by appropriately selecting the compositional ratio of the principal ingredient and to freely select the sintering temperature by appropriately selecting the content of the subsidiary ingredient. Further it is possible to control crystal structure, relative permittivity, Q-value, temperature coefficient, insulation resistance (IR), and crystal grain diameter by adding oxides of copper, nickel, manganese and silicon in adjusted quantities.
(FR)Porcelaine diélectrique comprenant TiO¿2? et ZnO comme ingrédient principal et B¿2?O¿3? et/ou du verre renfermant B¿2?O¿3? comme ingrédient subsidiaire, ce qui permet d'obtenir de l'argent, du cuivre ou des alliages d'argent ou de cuivre pouvant être frittés à basse température, comme ingrédient principal destiné à être utilisé comme conducteur interne. Il est possible de sélectionner librement le coefficient de température en sélectionnant de façon appropriée le rapport de la composition de l'ingrédient principal, et de sélectionner également librement la température de frittage en sélectionnant de façon appropriée le contenu de l'ingrédient subsidiaire. Il est également possible de réguler la structure du cristal, la permittivité relative, la valeur Q, le coefficient de température, la résistance d'isolation (IR) et le diamètre du grain de cristal en ajoutant des oxydes de cuivre, nickel, manganèse et silicium en quantités ajustées.
États désignés : Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)