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1. (WO1997001865) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1997/001865    N° de la demande internationale :    PCT/JP1996/001689
Date de publication : 16.01.1997 Date de dépôt international : 19.06.1996
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.01.1997    
CIB :
H01L 21/56 (2006.01), H01L 23/31 (2006.01), H01L 23/495 (2006.01), H05K 3/34 (2006.01)
Déposants : HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6, Kanda Surugadai 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101 (JP) (Tous Sauf US).
YAGUCHI, Akihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KITANO, Makoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAGATA, Tatsuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUMAZAWA, Tetsuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HARUTA, Ryo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ICHITANI, Masahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAGUCHI, Akihiro; (JP).
KITANO, Makoto; (JP).
NAGATA, Tatsuya; (JP).
KUMAZAWA, Tetsuo; (JP).
HARUTA, Ryo; (JP).
ICHITANI, Masahiro; (JP)
Mandataire : ASAMURA, Kiyoshi; New Ohtemachi Building, Room 331, 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100 (JP).
STREHL, SCHUBEL-HOPF, GROENING & PARTNER; Maximilianstrasse 54, D-80538 Munchen (DE)
Données relatives à la priorité :
7/161781 28.06.1995 JP
7/218447 28.08.1995 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device comprises a semiconductor element (1) having a plane (1a) with a plurality of electrodes (2) formed thereon, a plurality of internal leads (3; 20) electrically connected to the electrodes (2) respectively, and an electrically insulating resin package (11) for sealing the semiconductor element (1) and the internal leads (3; 20), wherein the internal leads (3; 20) are substantially located in the range of the electrode formed plane (1a) and the resin package (11) has a plurality of external terminal receiving recesses (17) reaching the internal leads (3; 20) respectively in the range of said electrode formed plane (1a). The external terminal receiving recesses (17) is formed by a resin plate (8) having through-holes and integrally molded with the resin package (11). The resin plate (8) may have recesses (18) and film members (19) forming the bottom of said recesses (18) and to be broken after integrally molded with the resin package (11).
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs constitué d'un élément semi-conducteur (1) comportant un plan (1a) sur lequel sont formées plusieurs électrodes (2), de plusieurs conducteurs internes (3; 20) électriquement connectés à leurs électrodes (2) respectives, et d'un boîtier (11) de résine électriquement isolante renfermant de façon hermétique l'élément semi-conducteur (1) et les conducteurs internes (3; 20). Ces conducteurs internes (3; 20) sont disposés pratiquement au même niveau que le plan (1a) comportant les électrodes, et le boîtier de résine (11) comprend une pluralité d'évidements (17) recevant des bornes externes aboutissant jusqu'aux conducteurs internes (3; 20) au niveau dudit plan (1a) comportant les électrodes respectivement. Les évidements (17) de réception de bornes externes sont réalisés au moyen d'une plaque de résine (8) qui est pourvue de traversées et a été moulée d'un seul tenant avec le boîtier (11) de résine. La plaque de résine (8) peut comporter des évidements (18) pourvus d'éléments en film (19) constituant le fond des évidements (18), lesquels fonds sont prévus pour être brisés une fois qu'ils sont moulés d'un seul tenant avec le boîtier (11) de résine.
États désignés : CN, KR, SG, US, VN.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)