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1. (WO1997001864) SUPPRESSION DE MATERIAUX DIELECTRIQUES APPLIQUES PAR CENTRIFUGATION AU MOYEN D'UN PROCEDE DE POLISSAGE CHIMIOMECANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1997/001864    N° de la demande internationale :    PCT/US1996/010836
Date de publication : 16.01.1997 Date de dépôt international : 26.06.1996
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    20.01.1997    
CIB :
H01L 21/3105 (2006.01)
Déposants : ALLIEDSIGNAL INC. [US/US]; 101 Columbia Road, P.O. Box 2245, Morristown, NJ 07962-2245 (US)
Inventeurs : FORESTER, Lynn; (US).
CHOI, Dong, K.; (US).
HOSSEINI, Reza; (US)
Mandataire : CRISS, Roger, H.; AlliedSignal Inc., Law Dept. (C.A. McNally), 101 Columbia Road, P.O. Box 2245, Morristown, NJ 07962-2245 (US).
KAPPES, Kyle; AlliedSignal Inc., Legal Dept.- C.A. McNally, 101 Columbia Road, P.O. Box 2245, Morristown, NJ 07962-2245 (US)
Données relatives à la priorité :
60/000,515 26.06.1995 US
08/669,184 24.06.1996 US
Titre (EN) REMOVAL RATE BEHAVIOR OF SPIN-ON DIELECTRICS WITH CHEMICAL MECHANICAL POLISH
(FR) SUPPRESSION DE MATERIAUX DIELECTRIQUES APPLIQUES PAR CENTRIFUGATION AU MOYEN D'UN PROCEDE DE POLISSAGE CHIMIOMECANIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method for forming a gap-filled, planarization structure of dielectric materials on a substrate topography useful for forming microelectronic devices. A dielectric material is first deposited as continuous, dry dielectric layer, preferably a SOG layer. Then the dielectric layer is partially removed by chemical-mechanical polishing (CMP). The chemical and mechanical properties of the structure can be chosen by varying the composition of the SOG layer and the subsequent CMP conditions.
(FR)Procédé de création d'une structure d'aplanissement, dont les creux sont remplis, de matériaux diélectriques sur la topographie d'un substrat, ce qui permet de fabriquer des dispositifs micro-électroniques. On dépose d'abord un matériau diélectrique sous la forme d'une couche diélectrique sèche et continue, de préférence une couche de verre appliquée par centrifugation (SOG). Puis on supprime partiellement la couche diélectrique par polissage chimiomécanique (CMP). On peut choisir les propriétés chimiques et mécaniques de la structure par modification de la composition de la couche de SOG, ainsi que des conditions subséquentes de CMP.
États désignés : CN, JP, KR, SG.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)