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1. (WO1997001204) MILIEUX D'AMPLIFICATION OPTIQUES A SEMI-CONDUCTEUR A AUTO-FOCALISATION REDUITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1997/001204    N° de la demande internationale :    PCT/US1996/010747
Date de publication : 09.01.1997 Date de dépôt international : 19.06.1996
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.01.1997    
CIB :
H01S 5/06 (2006.01), H01S 5/10 (2006.01), H01S 5/20 (2006.01), H01S 5/50 (2006.01)
Déposants : SDL, INC. [US/US]; 80 Rose Orchard Way, San Jose, CA 95134 (US)
Inventeurs : LANG, Robert, J.; (US).
OSINSKI, Julian, S.; (US).
WELCH, David, F.; (US)
Mandataire : SCHNECK, Thomas; P.O. Box 2-E, San Jose, CA 95109-0005 (US)
Données relatives à la priorité :
494,255 23.06.1995 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFYING MEDIA WITH REDUCED SELF-FOCUSING
(FR) MILIEUX D'AMPLIFICATION OPTIQUES A SEMI-CONDUCTEUR A AUTO-FOCALISATION REDUITE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor light amplifying medium (11; 23) has reduced self-focusing and optical filamentation for providing higher power coherent outputs in broad-area laser and amplifier devices (Figs. 1 and 2). In one embodiment, a longitudinally inhomogeneous active region (13; 25) has alternating segments of first gain portions (15; 27) and second compensating portions (17; 29). The compensating portions have a negative self-focusing parameter [$m(d)n/$m(d)P] (Figs. 3 and 10) and may be light absorbing (negative gain) regions with negative antiguiding factor $g(a) (Figs. 4A-4C and 5) or light amplifying (positive gain) regions with positive antiguiding factor $g(a) (Figs. 6A-6B and 7A-7B). The $g(a)-parameter is defined as the ratio of refractive index change per change in gain, as a function of carrier density. In a second embodiment, the medium may have longitudinally varying peak filament period [K¿pk?] so that filaments beginning to form in one portion of the active region are subsequently dispersed in a succeeding portion, slowing filament growth. In addition to self-focusing compensation, media with a lower $g(a)-parameter are provided by increasing the barrier height in quantum well active regions (Figs. 8A-8B), straining (Fig. 9) or p-doping the active region, or a combination of these methods.
(FR)L'invention concerne un milieu amplificateur de lumière à semi-conducteur (11, 23) présentant une auto-focalisation et une formation de filaments optiques réduites pour produire des sorties cohérentes à puissance plus élevée dans des lasers et amplificateurs à grande surface (fig. 1 et 2). Dans un mode de réalisation, une zone active longitudinalement non homogène (13; 15) est pourvue de segments de premières parties de gain (15; 27) qui alternent avec des secondes parties de compensation (17; 29). Les parties de compensation possèdent un paramètre négatif [$m(d)n/$m(d)P] d'auto-focalisation et peuvent être des zones pouvant absorber la lumière (gain négatif) avec un facteur $g(a) antiguidage négatif (fig. 4A-4C et 5) ou des zones d'amplification de lumière (gain positif) avec un facteur $g(a) antiguidage positif (fig. 6A-6B et 7A-7B). Le paramètre $g(a) est défini comme le rapport de changement d'indice de réfraction par changement de gain, en tant que fonction de la densité des porteurs. Dans un second mode de réalisation, le dispositif peut posséder une période [K¿pk?] de filament à crête variable dans le sens longitudinal de telle sorte que les filaments commençant à se former dans une partie de la région active sont par la suite dispersés dans une partie suivante, ralentissant la croissance des filaments. Outre la compensation de l'auto-focalisation, on obtient des milieux présentant un paramètre $g(a) inférieur en augmentant la hauteur de barrière dans des zones de puits quantique actives (fig. 8A-8B), en appliquant une contrainte (fig. 9) ou en effectuant un dopage-P de la zone active, ou en combinant ces méthodes.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)