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1. (WO1997001172) PROCEDE D'ECRITURE SUR PAGE DANS UNE MEMOIRE FLASH PAR INJECTION DE PORTEURS CHAUDS DANS LE CANAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1997/001172    N° de la demande internationale :    PCT/US1996/010562
Date de publication : 09.01.1997 Date de dépôt international : 18.06.1996
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.12.1996    
CIB :
G11C 16/10 (2006.01)
Déposants : ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place, Mail Stop 68, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US)
Inventeurs : HADDAD, Sameer; (US).
CHANG, Chi; (US).
LIU, David, K., Y.; (US)
Mandataire : RODDY, Richard, J.; Advanced Micro Devices, Inc., One AMD Place, Mail Stop 68, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US).
PICKER, Madeline, Margaret; "Association No. 14", Brookes & Martin, High Holborn House, 52/54 High Holborn, London WC1V 6SE (GB)
Données relatives à la priorité :
08/493,138 21.06.1995 US
Titre (EN) METHOD FOR PAGE WRITING TO FLASH MEMORY USING CHANNEL HOT-CARRIER INJECTION
(FR) PROCEDE D'ECRITURE SUR PAGE DANS UNE MEMOIRE FLASH PAR INJECTION DE PORTEURS CHAUDS DANS LE CANAL
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed herein is a channel hot-carrier page write method including an array of stacked gate flash EEPROM memory cells operating in a very low energy programming mode permitting page writing of 1024 bits within a 20-100$g(m)S programming interval. Internal programming voltage levels are derived from on-chip circuits, such as charge pumps (272), operated from a single +V¿cc? source. In a preferred embodiment, a cache memory (262) buffers data transfers between a computer bus (264) and the page oriented storage array (252). In another embodiment, core doping is increased in the channel and drain regions to enhance hot carrier injection and to lower the programming drain voltage. The stacked floating gate structure is shown to exhibit a high programming efficiency in a range from 10?-6¿ to 10?-4¿ at drain voltages below 5.2VDC. In another embodiment AC components of the programming current are minimized by precharging a common source line at the start of a programming cycle.
(FR)L'invention concerne un procédé d'écriture sur page par injection de porteurs chauds, qui comporte une matrice de cellules de mémoire flash (EEPROM) à grille superposée fonctionnant en mode de programmation à très faible niveau d'énergie, ce qui permet de réaliser l'écriture sur page de 1024 bits dans un intervalle de programmation allant de 20 à 100 $g(m)S. Les niveaux de tension applicables à la programmation interne sont fournis par des circuits incorporés (par exemple, des pompes à charge (272)) alimentés par une source unique +V¿cc?. Dans un mode de réalisation préféré, une mémoire cache (262) tient lieu d'organe tampon pour les transferts de données entre un bus d'ordinateur (264) et la matrice de mémoire (252) à pages. Dans une variante, le dopage de tore est accru dans les zones du canal et du drain, en vue d'augmenter l'injection des porteurs chauds et de réduire la tension du drain aux fins de programmation. Il est démontré que la structure à grille flottante superposée présente une grande efficacité de programmation, dans une plage comprise entre 10?-6¿ et 10?-4¿ pour des tensions de drain inférieures à 5,2 en VCC. Dans une autre variante, les composantes alternatives du courant de programmation sont réduites au minimum par précharge d'une ligne à source commune au début d'un cycle de programmation.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)