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1. (WO1997000837) PRODUITS FRITTES DE NITRURE DE SILICIUM A FORTE CONDUCTIVITE THERMIQUE, LEUR PROCEDE DE PRODUCTION, ET STRUCTURE SOUDEE PAR PRESSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1997/000837    N° de la demande internationale :    PCT/JP1996/001559
Date de publication : 09.01.1997 Date de dépôt international : 07.06.1996
CIB :
C04B 35/584 (2006.01), C04B 35/593 (2006.01), H01L 23/15 (2006.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 72, Horikawa-cho, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 210 (JP) (Tous Sauf US).
KOMATSU, Michiyasu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IKEDA, Kazuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIZUNOYA, Nobuyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SATO, Yoshitoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IMAIZUMI, Tatsuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KONDO, Kazuyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KOMATSU, Michiyasu; (JP).
IKEDA, Kazuo; (JP).
MIZUNOYA, Nobuyuki; (JP).
SATO, Yoshitoshi; (JP).
IMAIZUMI, Tatsuya; (JP).
KONDO, Kazuyuki; (JP)
Mandataire : HATANO, Hisashi; Miyata Building, 2nd floor, 17-16, Nishishimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105 (JP)
Données relatives à la priorité :
7/158206 23.06.1995 JP
7/344237 28.12.1995 JP
Titre (EN) HIGHLY HEAT-CONDUCTIVE SILICON NITRIDE SINTER, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND PRESSURE-WELDED STRUCTURE
(FR) PRODUITS FRITTES DE NITRURE DE SILICIUM A FORTE CONDUCTIVITE THERMIQUE, LEUR PROCEDE DE PRODUCTION, ET STRUCTURE SOUDEE PAR PRESSION
Abrégé : front page image
(EN)A highly heat-conductive silicon nitride sinter containing over 7.5 up to 17.5 wt.% (in terms of oxide) rare earth elements, optionally at most 1.0 wt.% aluminum nitride or/and alumina, optionally 0.1-3.0 wt.% at least one member selected among oxides, carbides, nitrides, silicides and borides of Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo and W, and at most 0.3 wt.% in total of impurity cation elements including Li, Na, K, Fe, Ca, Mg, Sr, Ba, Mn and B. The sinter comprises $g(b)-phase silicon nitride crystals and grain boundary phases, the proportion of the crystalline compound phases being at least 20 % of the grain boundary phases as a whole, and has a porosity of at most 2.5 % by volume, a heat conductivity of at least 80 w/m.K, and a three-point bending strength of at least 650 MPa at room temperature. As a result, this sinter has a high heat conductivity and is excellent in heat radiation in addition to the high strengths inherent in silicon nitride sinters. Pressure-welded structures are produced from a heat-radiating plate made from this sinter and heat-generating parts.
(FR)L'invention porte sur des produits frittés de nitrure de silicium à forte conductivité thermique contenant plus de 7,5 % à de 17,5 % en poids d'éléments de terres rares (sous forme d'oxydes), facultativement au plus 1,0 % en poids de nitrure d'aluminium et/ou d'alumine, facultativement de 0,1 à 3,0 % en poids d'au moins un élément choisi parmi des oxydes, des carbures, des nitrures des siliciures ou des borures de Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo et W, et au plus 0,3 % du poids total d'impuretés cationiques de Li, Na, K, Fe, Ca, Mg, Sr, Ba, Mn, et B. Le produit fritté comporte des cristaux de nitrure de silicium en phase $g(b) et des phases de limite de grains, la proportion des phases de composés cristallins étant d'au moins 20 % du total des phases de limite de grains, et présente une porosité d'au plus 2,5 % en volume, une conductibilité thermique d'au moins 80/wm.K, et une résistance à la flexion par essai à trois points d'au moins 650 MPa à température ambiante. En conclusion le produit fritté présente une très bonne conductibilité thermique, un fort rayonnement thermique, et la résistance mécanique élevée propre aux produits frittés de nitrure de silicium. Des structures soudées par pression peuvent être produites à partir de plaques thermoradiantes constituées des produits frittés ci-dessus avec l'aide d'éléments générateurs de chaleur.
États désignés : CN, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)