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1. (WO1996012328) LASER A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1996/012328    N° de la demande internationale :    PCT/JP1995/002118
Date de publication : 25.04.1996 Date de dépôt international : 16.10.1995
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.05.1996    
CIB :
H01S 5/20 (2006.01), H01S 5/22 (2006.01), H01S 5/223 (2006.01), H01S 5/343 (2006.01)
Déposants : MITSUI PETROCHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100 (JP) (Tous Sauf US).
OKUBO, Atsushi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMADA, Yoshikazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUJIMOTO, Tsuyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OKADA, Satoru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAITO, Yumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MURO, Kiyofumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OKUBO, Atsushi; (JP).
YAMADA, Yoshikazu; (JP).
FUJIMOTO, Tsuyoshi; (JP).
OKADA, Satoru; (JP).
NAITO, Yumi; (JP).
MURO, Kiyofumi; (JP)
Mandataire : SAIKYO, Keiichiro; Shikishima Building, 2-6, Bingomachi 3-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 541 (JP)
Données relatives à la priorité :
6/252431 18.10.1994 JP
6/328766 28.12.1994 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
(FR) LASER A SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)On a buffer layer (32) composed of n-GaAs are formed, as shown in the Fig., a clad layer (31) composed of n-AlGaAs; a waveguide layer (30); a carrier block layer (29); a side barrier layer (28) composed of non-doped AlGaAs; an active layer (27) including two quantum well layers of non-doped GaAs and a barrier layer of AlGaAs; a side barrier layer (26) composed of non-doped AlGaAs; a carrier block layer (25) composed of p-AlGaAs; a waveguide layer (23), a clad layer (22); and a cap layer (21) composed of p-GaAs in the order mentioned. In the waveguide layer (23) are formed current constriction layers (24), having a low refractive index resulting from its aluminum content more than that in the waveguide layer (23), which sandwich a striped active region (34). Thus, a difference in the refractive index appears between the active region (34) and a buried region (33) in which the current constriction layers (24) exist, thereby to form a refractive index waveguide structure. There is thus obtained a semiconductor laser device of the refractive index waveguide type that features a high output and can be easily fabricated.
(FR)Sur une couche tampon (32) de n-GaAs, on forme dans l'ordre indiqué par la figure: une couche d'habillage (31) de n-AlGaAs, une couche de guide d'ondes (30), une couche à bloc de support (29), une couche latérale d'arrêt (28) d'AlGaAs non dopé, une couche active (27) comportant deux couches de puits quantiques de GaAs non dopé et une couche d'arrêt d'AlGaAs, une couche latérale d'arrêt (26) d'AlGaAs non dopé, une couche à bloc de support (25) de p-AlGaAs, une couche de guide d'ondes (23), une couche d'habillage (22) et une couche de couverture (21) de p-GaAs. La couche de guide d'ondes comporte des couches de limitation de courant (24) à faible indice de réfraction du fait de sa teneur en aluminium supérieure à celle de la couche de guide d'ondes (23) qui prend en sandwich la bande que constitue la région active (34). Il se produit ainsi une différence d'indice de réfraction entre la région active (34) et une région enfouie (33) où se trouvent les couches de limitation de courant (24) ce qui conduit à la formation d'une structure de guide d'ondes à indice de réfraction. On obtient ainsi un laser à semi-conducteur du type à guide d'ondes à indice de réfraction, à fort rendement et facile à fabriquer.
États désignés : CA, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, GB, IT, NL).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)