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1. (WO1996012296) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1996/012296    N° de la demande internationale :    PCT/JP1995/002121
Date de publication : 25.04.1996 Date de dépôt international : 17.10.1995
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    17.10.1995    
CIB :
H01L 21/60 (2006.01), H01L 23/433 (2006.01), H01L 23/485 (2006.01), H01L 23/538 (2006.01), H01L 23/66 (2006.01)
Déposants : HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6, Kanda Surugadai 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101 (JP) (Tous Sauf US).
HITACHI ULSI ENGINEERING CORP. [JP/JP]; 20-1, Josuihoncho 5-chome, Kodaira-shi, Tokyo 187 (JP) (Tous Sauf US).
SUWA, Motoo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAMADA, Chiyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ARAI, Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKAHASHI, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NISHIUMA, Masahiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SUWA, Motoo; (JP).
KAMADA, Chiyoshi; (JP).
ARAI, Takeshi; (JP).
TAKAHASHI, Hiroyuki; (JP).
NISHIUMA, Masahiko; (JP)
Mandataire : KAJIWARA, Tatuya; I-201, Central Nishi-Shinjuku, 9-5, Nishi-Shinjuku 8-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 160 (JP)
Données relatives à la priorité :
6/251722 18.10.1994 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURE
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device which can reduce the transmission loss of high-frequency signals and in which a semiconductor chip (6) is facedown-bonded to a ground plane TAB tape (4). The TAB tape (4) is such that a first conductive layer (2) and a second conductive layer (3) are respectively formed on the front and rear sides of an insulating layer (1) and a front-side of the second conductive layer (3) is exposed in an opening made in the insulating layer (1) and Au bumps (7a and 7b) are protruded in the openings of the conductive layers (2) and (3). The pad electrode (5) of the semiconductor chip (6) is matched and bonded to the Au bumps (7a and 7b) on the TAB tape (4) without melting the bumps (7a and 7b). This semiconductor device can be used for information communication equipment and a highly advanced system can be constructed when the device is constituted in a multichip module.
(FR)Dispositif à semi-conducteur permettant de réduire les pertes sur des signaux à haute fréquence dont la face inférieure de la puce (6) de semi-conducteur est fixée à une embase constitué par un ruban TAB(4). Ledit ruban présente une première couche conductrice (2) et une deuxième couche conductrice (3) disposées respectivement sur les faces dorsale et frontale d'une couche isolante (1). Une partie frontale de la deuxième couche conductrice (3) est à nue au niveau d'une ouverture pratiquée dans la couche isolante (1) tandis que des protubérances d'Au (7a et 7b) font saillie dans les ouvertures pratiquées dans les couches conductrices (2, 3). L'électrode-patin (5) de la puce (6) est adaptée aux protubérances d'Au (7a et 7b) du ruban TAP (4) auxquelles elle est liée sans fusion des protubérances (7a et 7b). Ce dispositif peut être utilisé dans les équipements de transmission de l'information et permet de réaliser des systèmes très avancés lorsqu'il se présente sous la forme de module multipuce.
États désignés : CN, JP, KR, SG, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)