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1. (WO1996012051) PROCEDE PERMETTANT DE DEPOSER DES COUCHES DE METAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1996/012051    N° de la demande internationale :    PCT/DE1995/001501
Date de publication : 25.04.1996 Date de dépôt international : 18.10.1995
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    15.04.1996    
CIB :
C23C 16/18 (2006.01), C23C 18/30 (2006.01), H05K 3/38 (2006.01)
Déposants : ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH [DE/DE]; Erasmusstrasse 20-24, D-10553 Berlin (DE) (Tous Sauf US).
MEYER, Heinrich [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SCHULZ, Ralf [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : MEYER, Heinrich; (DE).
SCHULZ, Ralf; (DE)
Mandataire : EFFERT, Udo; Radickestrasse 48, D-12489 Berlin (DE)
Données relatives à la priorité :
P 44 38 791.1 18.10.1994 DE
P 44 38 777.6 18.10.1994 DE
195 38 531.4 09.10.1995 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR ABSCHEIDUNG VON METALLSCHICHTEN
(EN) PROCESS FOR SEPARATING METAL COATINGS
(FR) PROCEDE PERMETTANT DE DEPOSER DES COUCHES DE METAL
Abrégé : front page image
(DE)Für den Einsatz in der Elektronikindustrie sind Polyimidsubstrate mit Kupferschichten bekannt, die durch Zersetzen metallorganischer Verbindungen mittels eines Glimmentladungsverfahrens und nachfolgende stromlose Metallisierung des entstandenen Metallfilmes erzeugt werden. Bei der Abscheidung der ersten Metallschicht entstehen ohne Sauerstoffzugabe hierbei kohlenstoffhaltige Schichten, die eine geringe Leitfähigkeit und geringe katalytische Aktivität aufweisen. Werden ausschließlich alkalische Metallisierungsbäder verwendet, werden zwar anfänglich haftfeste Metallschichten auf den Polyimidoberflächen abgeschieden, die Haftfestigkeit der Metallschichten zum Polyimid wird jedoch bei einem Kontakt des Metalls mit wäßrig-alkalischen Lösungen erheblich beeinträchtigt. Wird in Sauerstoffatmosphäre gearbeitet, entstehen Palladiumschichten, die nachträglich reduziert werden müssen. Solche Schichten ergeben keine oder geringe Haftung, wenn sie chemischen oder elektrochemischen Prozeßlösungen ausgesetzt werden. Durch Verwendung von Mischungen aus Sauerstoff enthaltenden Verbindungen und Inertgas bei der Metallabscheidung in der Glimmentladung werden sauerstoff- und kohlenstoffarme Schichten erzeugt. Außerdem kann die Verringerung der Haftfestigkeit beim Kontakt des metallisierten Substrats mit wäßrig-alkalischen Lösungen durch Verwendung saurer oder neutraler stromloser Metallisierungsbäder zur Erzeugung der zweiten Metallschicht vermieden werden. Dieses Verfahren erschließt erstmals die Herstellung hochverdichteter Schaltungsträger ausgehend von unmetallisierten Polyimidfolien.
(EN)The electronic industry makes use of polyimide substrates with copper coatings which are produced by the decomposition of metal organic compounds by means of a glow discharge process followed by the currentless metallisation of the metal film produced. When the first metal coating is separated, carbon-containing coatings are produced without the addition of oxygen which have low conductivity and little catalytic activity. If only alkaline metallising baths are used, adherent metal coatings are indeed initially deposited on the polyimide surfaces but the adhesion of the metal coating on the polyimide is seriously degraded on contact between the metal and aqueous alkaline solutions. If work is conducted in an oxygen atmosphere, palladium coatings are produced which must subsequently be reduced. Such coatings provide little or no adhesion if they are exposed to chemical or electrochemical process solutions. When mixtures of oxygen-containing compounds and inert gas are used in metal separation in the glow discharge, low-oxygen and carbon coatings are produced. In addition, the reduction in the adhesion on contact between the metallised substrate and aqueous-alkaline solutions can be avoided by the use of acid or neutral currentless metallising baths to produce the second metal coating. This process makes it possible for the first time to produce high-density circuit carriers from unmetallised polyimide foils.
(FR)On connaît les substrats en polyimide munis de couches de cuivre, utilisés dans l'industrie électronique, qui sont obtenus par décomposition de composés organo-métalliques selon un procédé de décharge lumineuse, puis par métallisation sans courant du film métal produit. Lors du dépôt de la première couche de métal, il se produit, sans apport d'oxygène, des couches exemptes de carbone dont la conductivité et l'activité catalytique sont faibles. Si l'on n'utilise que des bains de métallisation alcalins, des couches de métal très adhérentes sont tout d'abord déposées sur les surfaces en polyimide, mais l'adhérence des couches de métal vis-à-vis du polyimide se trouve considérablement altérée lorsque le métal est en contact avec des solutions alcalino-aqueuses. Si l'on travaille dans une atmosphère d'oxygène, on obtient des couches de palladium qu'il faut ensuite réduire. Ce type de couches ne présentent pas de pouvoir adhésif ou uniquement un pouvoir adhésif réduit, lorsqu'elles sont soumises à des solutions de traitement chimiques ou électrochimiques. L'utilisation de mélanges de composés contenant de l'oxygène et de gaz inerte lors du dépôt électrolytique dans la décharge lumineuse, permet d'obtenir des couches à faible teneur en oxygène et en carbone. De plus, la diminution du pouvoir adhésif lorsque le substrat métallique est en contact avec des solutions alcalino-aqueuses peut être évitée, par l'utilisation de bains de métallisation sans courant acides ou neutres, pour produire la seconde couche de métal. Ce procédé est le premier du genre à permettre la production de support de circuits de haute densité à partir de films de polyimide non métallisés.
États désignés : AL, AM, AT, AU, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, HU, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LK, LR, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, TJ, TM, TT, UA, UG, US, UZ, VN.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (KE, MW, SD, SZ, UG)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)