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1. (WO1996012048) COUCHES CONFORMES A BASE DE TITANE ET PROCEDE DE PREPARATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1996/012048    N° de la demande internationale :    PCT/US1995/013243
Date de publication : 25.04.1996 Date de dépôt international : 10.10.1995
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.05.1996    
CIB :
C23C 16/14 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : GELEST, INC. [US/US]; 612 William Leigh Drive, Tullytown, PA 19007-6308 (US).
THE RESEARCH FOUNDATION OF STATE UNIVERSITY OF NEW YORK [US/US]; State University Plaza, Albany, NY 12246 (US)
Inventeurs : ARKLES, Barry, C.; (US).
KALOYEROS, Alain, E.; (US)
Mandataire : PARKER, David, W.; Panitch Schwarze Jacobs & Nadel, P.C., 36th floor, 1601 Market Street, Philadelphia, PA 19103 (US).
CALDERONE, Lynda, L.; Panitch Schwarze Jacobs & Nadel, P.C., 36th floor, 1601 Market Street, Philadelphia, PA 19103 (US)
Données relatives à la priorité :
322,020 11.10.1994 US
Titre (EN) CONFORMAL TITANIUM-BASED FILMS AND METHOD FOR THEIR PREPARATION
(FR) COUCHES CONFORMES A BASE DE TITANE ET PROCEDE DE PREPARATION
Abrégé : front page image
(EN)Titanium and titanium nitride layers can be produced by chemical vapor deposition (CVD) processes conducted at temperatures below 475 °C. The layers may serve as diffusion and adhesion barriers for ultra-large scale integration (ULSI) microelectronic applications. The processes use a titanium halide precursor, such as titanium tetraiodide, and hydrogen or hydrogen in combination with nitrogen, argon, or ammonia to either produce pure titanium metal films, titanium films which alloy with the underlying silicon, or titanium nitride films. The deposition of titanium metal from titanium halide and hydrogen or the deposition of titanium nitride from titanium halide with nitrogen and hydrogen is achieved with the assistance of a low energy plasma. The process allows smooth and reversible transition between deposition of films of either titanium metal or titanium nitride by introduction or elimination of nitrogen or ammonia.
(FR)On peut produire par des procédés de dépôt chimique en phase vapeur, à des températures inférieures à 475 °C, des couches de titane et de nitrure de titane qui servent de barrières de diffusion et d'adhérence pour des utilisations en micro-électronique à ultra-grande échelle d'intégration (ULSI). Ces procédés concernant un précurseur de l'halogénure, tel que le tétraiodure de titane, ainsi que l'hydrogène, ou de l'hydrogène éventuellement combiné avec l'azote, l'argon ou le gaz ammoniac pour produire soit des couches métallique de pur titane, soit des couches de titane qui s'allient avec le silicium sous-jacent, soit des couches de nitrure de titane. Le dépôt de titane métallique à partir d'halogénure de titane et d'hydrogène ou celui de nitrure de titane à partir d'halogénure de titane et d'azote et d'hydrogène est possible grâce à un plasma faiblement énergétique. Ce procédé donne une transition douce et réservible entre les dépôts de couches de titane métallique ou de nitrure de titane grâce à l'introduction ou à la suppression de l'azote et du gaz ammoniac.
États désignés : AL, AM, AT, AU, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, HU, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LK, LR, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, TJ, TM, TT, UA, UG, UZ, VN.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (KE, MW, SD, SZ, UG)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)