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1. (WO1996011503) DIODE A SEMI-CONDUCTEUR EMETTANT UN RAYONNEMENT ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1996/011503    N° de la demande internationale :    PCT/IB1995/000775
Date de publication : 18.04.1996 Date de dépôt international : 21.09.1995
CIB :
H01L 21/18 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01), H01S 5/16 (2006.01), H01S 5/20 (2006.01), H01S 5/32 (2006.01), H01S 5/34 (2006.01), H01S 5/343 (2006.01)
Déposants : PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL).
PHILIPS NORDEN AB [SE/SE]; Kottbygatan 5, Kista, S-164 85 Stockholm (SE) (SE only)
Inventeurs : VALSTER, Adriaan; (NL).
DE POORTER, Johannes, Antonius; (NL).
ACKET, Gerard, Adriaan; (NL)
Mandataire : SMEETS, Eugenius, T., J., M.; Internationaal Octrooibureau B.V., P.O. Box 220, NL-5600 AE Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
94202895.2 06.10.1994 EP
Titre (EN) RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR DIODE AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH A DIODE
(FR) DIODE A SEMI-CONDUCTEUR EMETTANT UN RAYONNEMENT ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a radiation-emitting semiconductor diode, in particular a laser diode, whose active layer (3) comprises a II-V mixed crystal in which various elements, for example III elements, may be present in orderly or disorderly arrangement. Such a mixed crystal is InGaP whose emission lies below 1 $g(m)m. In the known diode, catastrophic optical degradation is suppressed in that the active layer (3) has an orderly distribution in the active region (3A) and a disorderly distribution of the elements in a passive region (3B) situated near an exit surface (51). The known diode has a low efficiency and a high starting current. In a diode according to the invention, the distribution of the different elements is disorderly in the active region (3A), while the passive region (3B) is formed through local intermixing of the active layer (3). Such a diode surprisingly has a high efficiency and a low starting current, shows very little propensity to said degradation, and is in addition very easy to manufacture. The invention accordingly also relates to a method of manufacturing such a diode. Said disorderly distribution is realized, for example, through a high growing temperature, while said intermixing is achieved through local diffusion of, for example, Zn or Si. Intermixing may take place during or after the manufacture of the semiconductor layers.
(FR)L'invention se rapporte à une diode à semi-conducteur émettant un rayonnement, notamment une diode laser, dont la couche active (3) comprend un cristal mixte des classes II à V dans lequel divers éléments, tels que les éléments de la classe III, peuvent être présents selon une organisation ordonnée ou désordonnée. Ce cristal mixte est un InGaP dont l'émission est inférieure à 1$g(m)m. Dans les types conventionnels de diodes, la dégradation optique catastrophique est supprimée en ce sens que la couche active (3) a une répartition ordonnée des éléments dans la région active (3A) et une répartition désordonnée des éléments dans une région passive située près d'une surface de sortie (51). La diode de type conventionnel a un faible rendement et une intensité initiale élevée. Dans la diode de l'invention, la répartition des différents éléments est désordonnée dans la région active (3A) alors que la région passive (3B) est formée par fusion locale de la couche active (3). Cette diode présente l'avantage d'avoir un rendement élevé et une faible intensité initiale; elle présente une très faible propension à la dégradation et est, de plus, très facile à fabriquer. Cette invention se rapporte donc également à un procédé de fabrication de cette diode. La répartition désordonnée est réalisée, par exemple, grâce à un accroissement élevé de la température, alors que la zone fusionnelle est obtenue par diffusion locale de Zn ou Si, par exemple. La fusion peut avoir lieu pendant ou après la fabrication des couches à semi-conducteurs.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)