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1. (WO1996010292) PUCE A PROTUBERANCES MONTEE SUR GUIDE D'ONDE COPLANAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1996/010292    N° de la demande internationale :    PCT/US1995/012301
Date de publication : 04.04.1996 Date de dépôt international : 25.09.1995
CIB :
H03F 3/60 (2006.01)
Déposants : ENDGATE CORPORATION [US/US]; 321 Soquel Way, Sunnyvale, CA 94086-4102 (US)
Inventeurs : MOHWINKEL, Clifford, A.; (US).
JOHNSON, Edwin, F.; (US).
STONEHAM, Edward, B.; (US)
Mandataire : ANDERSON, Edward, B.; Law Office of Edward B. Anderson, P.O. Box 2248, Roseburg, OR 97470-0458 (US)
Données relatives à la priorité :
08/313,927 26.09.1994 US
08/478,375 07.06.1995 US
Titre (EN) COPLANAR WAVEGUIDE-MOUNTED FLIP CHIP
(FR) PUCE A PROTUBERANCES MONTEE SUR GUIDE D'ONDE COPLANAIRE
Abrégé : front page image
(EN)A radio-frequency power amplifier (22) includes a multiple-FET chip (26) that is flip mounted on a connection region (32) of a substrate (30). An input impedance-matching network (62, 64) is also mounted on the substrate. The network includes a coplanar waveguide (24) having an elongate waveguide signal conductor (48b, 48c) for each gate terminal (70) on the FET chip (26) with a distal end (48d, 48c) spaced from the connection region (32) and a proximal end (48g, 48h) in the connection region. A capacitor (54, 56) couples each of the input signal conductor distal ends (48d, 48c) to an adjacent ground conductor (36, 38). The signal conductors (48b, 48c) and capacitors (54, 56) provide a selected impedance at a selected frequency. An output coplanar waveguide (28) includes, for each drain terminal (72) an output signal conductor (88) having an end (82a) in the connection region (32) that is electrically connected to the flip mounted FET chip (26). This waveguide (28) also has a length selected to provide desired impedance matching and may also have other means of impedance matching.
(FR)Un amplificateur de puissance haute fréquence (22) comprend une puce (26) à transistors à effet de champ (TEC) multiples qui est montée par bosses soudées sur une zone de connexion (32) d'un substrat (30). Un réseau d'adaptation d'impédance d'entrée (62, 64) est également monté sur le substrat. Ce réseau comporte un guide d'onde coplanaire (24) pourvu d'un conducteur allongé (48b, 48c) de signaux destiné à chaque borne (70) de grille de la puce TEC (26) dont une extrémité distale (48d, 48c) est espacée de la zone de connexion (32) et dont une extrémité proximale (48g, 48h) se trouve dans la zone de connexion. Un condensateur (54, 56) connecte chacune des extrémités distales (48d, 48c) du conducteur de signaux d'entrée à un conducteur de terre adjacent (36, 38). Les conducteurs de signaux (48b, 48c) et les condensateurs (54, 56) produisent une impédance sélectionnée à une fréquence sélectionnée. Un guide d'onde coplanaire de sortie (28) comporte, pour chaque borne de drain (72), un conducteur de signaux de sortie (88) dont une extrémité (82a) se trouve dans la zone de connexion (32) qui est connectée électriquement à la puce TEC à protubérances (26). Ce guide d'onde (28) a également une longueur déterminée permettant d'obtenir l'adaptation d'impédance désirée, qu'il est également possible d'obtenir par un autre élément.
États désignés : AT, AU, BR, CA, CH, CN, DE, ES, FI, GB, HU, JP, KE, KP, KR, LR, MN, MX, NO, NZ, PL, PT, RU, SE, UA, VN.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)