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1. (WO1996010266) DISPOSITIF DE CELLULES DE MEMOIRE A VALEUR FIXE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1996/010266    N° de la demande internationale :    PCT/DE1995/001262
Date de publication : 04.04.1996 Date de dépôt international : 14.09.1995
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    13.12.1995    
CIB :
H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/112 (2006.01)
Déposants : SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (Tous Sauf US).
KRAUTSCHNEIDER, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
RISCH, Lothar [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HOFMANN, Franz [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
RÖSNER, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : KRAUTSCHNEIDER, Wolfgang; (DE).
RISCH, Lothar; (DE).
HOFMANN, Franz; (DE).
RÖSNER, Wolfgang; (DE)
Données relatives à la priorité :
P 44 34 725.1 28.09.1994 DE
Titre (DE) FESTWERT-SPEICHERZELLENANORDNUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
(EN) FIXED VALUE STORAGE CELL ARRANGEMENT AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
(FR) DISPOSITIF DE CELLULES DE MEMOIRE A VALEUR FIXE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(DE)Eine Festwert-Speicherzellenanordnung umfaßt in einem Substrat (21) aus Halbleitermaterial Speicherzellen mit jeweils einem vertikalen MOS-Transistor, wobei die verschiedenen logischen Werte (Null, Eins) durch unterschiedlich dicke Gatedielektrika (27, 28) realisiert werden. Die Speicherzellenanordnung läßt sich insbesondere in einem Siliziumsubstrat mit wenigen Prozeßschritten und hoher Packungsdichte herstellen. Die Speicherzellenanordnung und eine Ansteuerschaltung zum Auslesen können dabei integriert hergestellt werden.
(EN)The invention concerns a fixed value storage cell arrangement comprising, in a substrate (21) of semiconductor material, storage cells each having a vertical MOS transistor. The various logical values (zero, one) are brought about by gate dielectrics (27, 28) of different thicknesses. The storage cell arrangement can be produced in particular in a silicon substrate using few process steps and a high packing density. The storage cell arrangement and a readout control circuit can thus be produced integrally.
(FR)Dispositif de cellules de mémoire à valeur fixe comprenant, dans un substrat (21) en un matériau semi-conducteur, des cellules de mémoire ayant chacune un transistor MOS vertical, les diverses valeurs logiques (zéro, un) étant réalisées par des diélectriques grilles (27, 28) d'épaisseurs différentes. Le dispositif de cellules de mémoire peut être fabriqué en particulier dans un substrat en silicium, selon un processus comportant un petit nombre d'étapes, et avec une densité élevée. Le dispostif cellules de mémoire et un circuit de commande de lecture peuvent ainsi être fabriqués de manière à être intégrés en une seule unité.
États désignés : BR, CN, JP, KR, RU, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)